中島 佑基 | 名古屋工業大学機能工学専攻

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概要

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• 名古屋工業大学機能工学専攻の論文著者

関連著者

• 中島 佑基

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名工大

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 楊 凱

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 楊 凱

  名古屋工業大学 機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

著作論文

• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu[x]S及びCu[x]Zn[y]S薄膜の作製 (シリコン材料・デバイス)
• 電気化学堆積法によるCu[x]S及びCu[x]Zn[y]S薄膜の作製 (電子部品・材料)
• 電気化学堆積法によるCu[x]S及びCu[x]Zn[y]S薄膜の作製 (電子デバイス)
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZn_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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