電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• Cu_xS薄膜を電気化学堆積法(ECD法)により作製した。pH調整剤として硫酸または乳酸を用いて堆積を行った。硫酸を用いた場合は,ITO基板上に安定した薄膜が得られなかったが,乳酸を用いた場合,Cu_<2.6>Sの茶色の薄膜の堆積に成功した。光電気化学測定より,堆積した薄膜はp型半導体であり,光導電性を持つことを確認できた。次いで,Cu_xZu_yS薄膜をECD法により堆積した。最適の条件で堆積した膜は可視光に対して高い透過率を示し,算出したバンドギャップは3.2eVである。p型伝導性と光伝導性を示したことが確認され,n型のZnO薄膜とのヘテロ接合は整流性を示した。

• 2011-05-12

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 市村 正也

  名工大

• 中島 佑基

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 楊 凱

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 楊 凱

  名古屋工業大学 機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院工学研究科

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