電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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Cu_2Oはヘテロ接合型太陽電池への光吸収層として応用されている。しかし、バンドギャップが太陽電池の最適値より大きいという欠点がある。本研究では、バンドギャップを制御するため、電気化学堆積のCu_2O薄膜をH_2O_2(30%)に浸して酸化したCu_2O薄膜はCuSO_4の水溶液(乳酸とKOH水溶液でpHを12.5に調整)を用い、40℃付近でガルバノスタットの電気化学堆積法でITOの上に堆積した。そして作製したCu_2O薄膜を90℃まで加熱したH_2O_2(30%)中で10,20と30分酸化処理を試みた。H_2O_2処理によってCu_2O薄膜の酸素組成比を増加させ、バンドギャップを縮小させることができた。
- 2012-05-10
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