第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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Cu_2ZnSnS_4(CZTS)はヘテロ接合太陽電池の光吸収層材料として注目されている物質である。本研究では、第一原理計算によってCdS/CZTSヘテロ接合界面のエネルギバンドオフセット(不連続値)を計算した。CZTSがケステライト構造をとるとき、CdS(001)/CZTS(001)ヘテロ構造では価電子帯不連続値ΔE_v=l.2eVが得られ、CdS(010)/CZTS(010)構造ではΔE_v=1.0eVが得られた。CZTSの伝導帯端はCdSの伝導帯端より上であるCZTSがスタナイト構造をとるときCdS(001)/CZTS(001)構造ではΔE_v=1.1eVであった。
- 2012-05-10
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