高品質SiCウェーハの開発(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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SiCは窒化物半導体電子デバイス用基板として有望視されている。しかし、SiC基板は今なおマイクロパイプなど、解決すべき問題を残している。そこで我々は、4H-SiC(0001)を[01-10]に54.7度オフさせた4H-SiC(03-38)を用いマイクロパイプフリーの結晶を達成し、また、高性能窒化物デバイスを実現するための半絶縁性6H-SiC基板、4H-SiC{1-100}基板などの高品質SiC基板の開発に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-07
著者
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