SiC単結晶基板開発の現状(バルク成長シンポジウム)
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概要
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we have grown 3 inch SiC boule without polycrystalline region at the periphery by using multizone induction heating reactor. We have developed SiC CVD reactor and obtained the thickness uniformity of 1.2% on 2 inch wafer.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
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