電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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薄膜太陽電池用材料を低コストでなおかつ安価な装置で作製できる電気化学堆積法を用いて硫化スズ薄膜の作製と評価を行なった。印加電圧には3ステップパルスを用い、試料を走査型電子顕微鏡、オージェ電子分光法、X線回折法、光透過率さらに光電気化学測定によって評価した。堆積膜の表面モホロジ、原子組成比からパルス電圧の最適化を行なった。3ステップパルスを用いることで2ステップパルス印加に比べ表面モホロジが向上し、組成比が化学量論組成に近づいた。
- 2004-05-07
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