SOIウェーハ貼り合わせ界面付近のキャリア分布に及ぼすアニールの影響
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概要
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貼り合わせSOI(Silicon on Insulator)基板のSi活性層-埋め込み酸化膜界面において、埋め込み酸化膜中の正電荷によって高抵抗化していたキャリア分布がアニール前後で変化する。この現象を解明するため、窒素雰囲気、450〜1050℃の温度範囲で時間を変化させて拡がり抵抗法によってキャリア分布を測定した。その結果、(i)p型SOI基板の場合は、850℃以上の高温アニール処理では界面近傍が、高抵抗状態(空乏状態)からn型反転層を形成し、n型SOI基板の場合、高抵抗状態から活性層中と同様のキャリア濃度に回復する(ii)p型基板を650℃以下の低温アニール処理したものは、キャリア分布プロファイルにほとんど変化は見られない(iii)p型基板を一旦高温アニール処理をして界面近傍のキャリア濃度が増加した試料を650℃で再処理することにより、キャリア濃度が減少し、初期分布に近づくことが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
内田 秀雄
名古屋工業大学電気情報工学科
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
伊藤 慎也
名古屋工業大学、電気情報工学科
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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