拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
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概要
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p型絶縁体上シリコン(SOI)構造において、埋め込み酸化膜中の電荷が、拡がり抵抗(SR)測定に及ぼす影響を議論した。まず理論計算によって、酸化膜中に電荷がある場合に予想されるSRキャリア分布をもとめた。次にキャリア濃度が異なる複数の試料について測定を行った。SRキャリア分布は、酸化膜近傍でいったん急激に減少し、最小値をとり、再び緩やかに増加する。表面準位を考慮した理論計算によってその実測値の主要な特微が再現できた。これらの結果により、SOI構造の界面近傍のSR測定においては、埋め込み酸化膜中電荷と表面準位を考慮した解析が不可欠であることが示された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
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