らせん型教育の実践現場から見た高専の高度化のための提言
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子部品・材料)
-
Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子デバイス)
-
真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
-
ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
-
GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
-
HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
-
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性
-
ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
-
Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
-
Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
-
Euをイオン注入したGaNの発光特性
-
Euをイオン注入したGaNの発光特性
-
Euをイオン注入したGaNの発光特性
-
CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
多層膜金属格子に励起される表面プラズモン
-
多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
-
多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
-
多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
-
多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
-
多層膜周期構造による光の共鳴散乱
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
-
γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
-
CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
-
CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
-
アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
-
アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
-
アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
同期検波による自動C-V Plotter
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
FDTD法を用いた周期的フラクタル状多層媒質の電磁波伝搬解析
-
A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
-
真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
-
Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
-
真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
-
Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
-
NdGaO_3基板上へのGaNハイドライド気相エピタキシー : バルク成長シンポジウム
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
9-209 高専-枝科大連携による技能を持った技術者の育成 : 高専専攻科と技科大の融合による一貫教育の実現へ((22)高大院連携,口頭発表論文)
-
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
-
フラクタル状多層薄膜の作製と電磁波の伝搬特性
-
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製
-
シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
-
シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
-
CS-5-3 Si基板上への無転位III-V-N混晶層のヘテロエピタキシャル成長(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
-
03aB06 III-V-N混晶-シリコン構造を用いたモノリシック光電子融合システムの開発(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク