田村 英一 | JRCAT融合研
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概要
関連著者
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田村 英一
JRCAT融合研
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田村 英一
Jrcat
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田村 英一
産経研
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湯浅 新治
電総研
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鈴木 義茂
電総研
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長浜 太郎
産総研
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長浜 太郎
JRCAT-融合研
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田村 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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鈴木 義茂
JRCAT
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鈴木 義茂
Jrcat-融合研
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川越 毅
大阪教育大
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川越 毅
Jrcat-atp
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川越 毅
Jrcat
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秋永 広幸
JRCAT
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鈴木 義茂
産総研
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眞砂 卓史
JRCAT
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眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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佐藤 俊彦
Jrcat
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田村 英一
Jrcat-atp
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安藤 功兒
電総研
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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小出 常晴
高エ研PF
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湯浅 新治
産総研
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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設楽 哲夫
高エ研PF
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長濱 太郎
産総研
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関根 武俊
高エ研PF
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設楽 哲夫
KEK-PF
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設楽 哲夫
高エネ研PF
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小池 和幸
北大理
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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横山 侑子
電総研
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宮内 洋司
高エネ研pf
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横山 侑子
産総研エレクトロニクス
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関根 武俊
高エネ研PF
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重藤 訓志
理研
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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田中 大
上智大理工
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新庄 輝也
京大化研
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ボーステン L
上智大理工
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湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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宮西 晋太郎
JRCAT
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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水口 将輝
東北大学
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宮内 洋司
高エ研PF
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片山 利一
東邦大薬
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小出 常晴
高エネ研PF
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水口 将輝
JRCAT
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田中 一宣
JRCAT融合研
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片山 利一
電総研
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ボーステン L.
上智大理工
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新庄 輝也
京大 化研
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由利 正忠
上智大理工
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小池 和幸
JRCAT
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重藤 訓志
京大
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重藤 訓志
京大化研
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鈴木 義茂
JACAT-融合研
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小池 和幸
JACAT-融合研
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Miltat J.
CNRS-パリ南大
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Thiaville A.
CNRS-パリ南大
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小野 輝男
慶應大
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Bruno Patrick
Max-planck
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ポーステン L.
上智大理工
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宮西 晋太郎
Jrcat融合研:筑波大物質工
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長浜 太郎
科技団
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小出 常行
高エネ研PF
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石川 旬
上智大理工
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Nyvlt M.
電総研
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呉 宗漢
東南大
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小野 輝男
慶応大
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鈴木 義茂
電総研:jrcat-融合研
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BRUNO P.
パリ南大
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田中 一宣
Jrcat-融合研
-
田中 一宣
Jrcat融合研:筑波大物質工
-
頼 健夫
日大理工
-
湯浅 新治
産総研エレ
著作論文
- 26pPSA-54 (111)B GaAs基板上MnSb薄膜の作製とその磁気特性
- 23aE-12 単結晶電極を持つ強磁性トンネル接合のdI/dV測定
- 23aE-11 トンネル磁気抵抗効果のバイアス依存性と温度依存性
- 23aE-10 磁性体トンネル接合のスピン偏極バリスティック伝導理論
- 25aYQ-7 磁場変調を用いたスピン偏極STMの試み
- Fe(001)面のスピン偏極電子のステップでの散乱 : STMを用いた微分コンダクタンス像による観察
- 27aPS-25 Fe(001)薄膜のSTM/STS観察
- 23pE-11 強磁性探針を用いたSTMによるスピントンネリングの測定
- 微細加工された強磁性細線の磁区と磁壁の運動II マイクロマグネティックスシミュレーション
- 23pYB-9 結晶電極を持つTMR素子界面のX線吸収とX-MCDによる評価
- Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
- 18pWA-5 極薄Fe(100)電極を持つ強磁性トンネル接合の量子井戸効果
- Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果
- 29pYB-5 単結晶電極を持つ磁性金属トンネル接合の微分抵抗とトンネル分光
- 29pYB-3 超薄バリア層のトンネル磁気抵抗効果
- 23pYB-8 単結晶磁性金属電極及び超伝導電極を用いたトンネル分光測定
- Al_2O_3/Fe界面のFe1原子層の電子状態のX線吸収による評価
- 単結晶Fe電極を持つトンネル接合のトンネル分光
- 25aYQ-6 光の偏向と電子のスピン偏極
- 27aPS-17 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導 II
- 23pYB-6 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導
- 23aE-2 GaAs表面・界面におけるスピン緩和
- LEEDによるNiO表面の研究とその解析
- 23pE-7 くびれを持つ強磁性細線における磁壁のトラップとトンネリング
- Au(001)Wedge膜における量子井戸準位による極磁気Kerr効果の振動
- 19aRH-11 表面状態電子の表面ステップによる散乱STM微分コンダクタンス像による観察