25pXJ-5 強磁性体/半導体MIS構造におけるスピン注入(25pXJ 強磁性トンネル接合・磁壁,領域3(磁性,磁気共鳴分野))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 秋永 広幸

  JRCAT

• 眞砂 卓史

  ナノ機能合成プロ

関連論文

• 30p-L-4 MnSb(0001)のスピン・角度分解光電子分光
• 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
• 強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性
• 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
• 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
• MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
• 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
• MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
• 半導体表面への磁性ナノ構造の成長と物性
• MnSbグラニュラー薄膜の作製と基礎物性評価
• 26pPSA-54 (111)B GaAs基板上MnSb薄膜の作製とその磁気特性
• 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
• 5p-F-11 MnTe:Sb系薄膜の作製と磁気光学効果
• 27p-W-2 遍歴強磁性体MnAsおよびMnSbのスピン偏極光電子分光
• 18pWA-6 GaAs基板上に成長したCo/Al_2O_3/Feのスピンバルブ特性
• MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
• 26p-YJ-16 Mn_2Sb_As_x磁性薄膜における磁気抵抗の温度依存性
• 8p-YG-8 分子線エピタキシー法によるMn_2(Sb, As)薄膜の作製とその特性評価
• 30p-W-14 分子線エピタキシー法によるMn_2Sb薄膜の作製とその特性評価
• GaAs基板上Mn-Sb薄膜の作製とその成長様式の基板表面構造依存性
• MnSb薄膜の作製及びその磁気光学効果の基板依存性
• 29a-PS-57 MnSb薄膜の作製とその磁気光学効果
• 28a-YQ-11 Surface Structure of the first few Monolayers of Fe deposited at Room Temperature on GaAs (100) Substrates
• 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
• MnTeSbにおけるMn発光の温度依存性
• Au(111)再配列面上へのCoドット配列の作製と磁性
• Au(111)面上に成長したCo微細構造と磁気光学効果
• 29a-PS-50 Au(111)面上のCoの初期成長過程と磁気光学効果
• 2p-X-4 エピタキシャルMn_2(Sb,As)薄膜の磁気抵抗効果
• 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
• 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
• 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
• 27aPS-17 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導 II
• 23pYB-6 強磁性体/Al_2O_3/GaAs-MIS接合のスピン依存伝導
• 23aE-2 GaAs表面・界面におけるスピン緩和
• 27a-YJ-8 MnAs:GaAsグラニュラー薄膜における負の磁気抵抗効果
• 8a-E-10 (Ga, Mn)Asの発光特性
• 8a-E-6 CdMnTeにおけるフェムト秒光パルス励起フェラデー回転の観測
• CaAs基板上MnSb超薄膜の磁気光学効果
• MnSb超薄膜のGaAs基板上MBE成長
• MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
• 28a-K-8 CdMnTe, MnTeのd励起状態の不均一幅
• 14a-DE-15 MnTeのd-d発光 I
• GaAs基板上に成長したCoCr薄膜の垂直磁気特性
• 7pWA-6 強磁性体/GaAsヘテロ接合におけるスピン偏極電子注入とその高効率化(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
• 7pWA-6 強磁性体/GaAsヘテロ接合におけるスピン偏極電子注入とその高効率化(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)
• 3P-YD-9 MnSb/GaAs界面のTEM観察と磁気光学効果(3pYD 磁性(薄膜,人工格子),磁性)
• 1p-YE-5 遍歴強磁性体MnAsおよびMnSbのスピン角度分解光電子分光(1pYE 磁性(遷移金属合金・化合物),磁性)
• 1p-YE-4 MnSbエピタキシャル膜における異方的磁気抵抗(1pYE 磁性(遷移金属合金・化合物),磁性)
• 3P-YD-3 Au(111)再配列面に形成させたCoドットの磁化過程(3pYD 磁性(薄膜,人工格子),磁性)
• 25pXJ-5 強磁性体/半導体MIS構造におけるスピン注入(25pXJ 強磁性トンネル接合・磁壁,領域3(磁性,磁気共鳴分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク