1p-YE-10 SURFACE BAND STRUCTURE OF THE Si-RICH 3C-SiC(001)3×2 SURFACE
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-03-10
著者
-
Uhrberg R.I.G.
Linkoping大学
-
松田 巌
東大理
-
Yeom Han
東大理
-
Uhrberg R.i.g.
Linkoping University
-
Yeom Han
東大大工
-
CHAO Y.-C.
Linkoping University
関連論文
- 領域5「Elucidation of ultrafast dynamics on the nanoscale with the short wavelength sources」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
- 30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II
- 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
- 20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
- 29a-PS-29 Si(001)及び(111)表面上ベンゼンの吸着構造と電子構造
- 29a-PS-2 Pb/Si(001)表面の電子構造研究
- 22pT-13 Si2p角度分解光電子分光によるSiO2/Si(100)界面構造に関する研究
- 22pXF-12 Pb吸着Ge(111)表面の相転移とその電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-6 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-21 Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-5 全Au/Si(111)表面超構造シリーズの電気伝導とその違い(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-4 Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYB-11 極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャルと電気伝導特性(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-11 Au吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-8 室温から極低温までのAu/Si(111)表面の表面電子輸送研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pXC-3 CoSi_2ナノワイヤの電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-9 Au/Si(111) 表面上のグラスークリスタル転移の表面電子輸送研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 27aWP-6 Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 27aWP-5 マイクロ4端子法によるSi(111)√×√-Ag表面電気伝導の温度依存性の研究(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 27aWP-4 In/Si(111)-4x1 ↔ 8x'2'表面相転移に対する不純物の影響(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 14aXG-4 室温∿極低温 STM/STS による Ge(111) 表面上 Pb, Sn 吸着系 √×√→3×3 相転移の電子状態研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 21aYD-6 Si(111)-4x1-In 系の低温相転移の STM 観察
- 31aZE-13 内殻光電子分光による Si(111)√x√-(Ag, Na) 表面の研究
- 31aZE-12 Si(111)-√x√(Ag+Na) の表面電子構造
- 23aYH-7 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYH-9 In/Si(111)-√×√表面超構造の金属伝導と絶縁体転移(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
- 31pZE-4 マイクロ 4 端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究
- 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-131 表面状態のホール抵抗測定(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-10 低温型四探針 STM による電気伝導測定(表面界面電子物性, 領域 9)
- 21aYD-7 STM/STS 測定による Si(111)√3x√3-Ag 表面ステップの研究
- 28p-S-13 放射光光電子分光によるSi(001)表面上Ag超薄膜内の量子化状態研究
- 30aPS-5 Si(111)4×1-In表面Ag(111)薄膜の量子井戸状態の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-1 Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-5 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究II(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-3 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30pYB-6 金原子吸着Si(111)-√×√-Ag表面の電気伝導度(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pXF-11 吸着子によるSi(111)-√x√-Ag表面の金属バンドの分裂(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-22 Influence of local band bending on the shapes of Si2p core-level spectra of the Au adsorbed Si(111)-√×√-Ag surface
- 25pWB-9 Si(111)√3×√3-Ag表面の電気伝導II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXG-4 金原子吸着した Si(111)-√×√-Ag 表面についての研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 29aZF-8 Si(111)√x√-Ag 表面の作成法によるモルフォロジーの違い
- 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定
- 18pTG-1 ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-28 微傾斜した Si(111)-Au 表面の STM 観察
- ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
- 24pPSA-34 Si(001)5x3.2-Au表面の電子構造
- 28a-Q-5 Hydrogen-induced 3x1 phase on the Si-rich 3C-SiC(001)surface
- 28a-YR-3 Surface band structure of anomalous carbon dimers on the 3C-SiC(001)c(2x2) surface
- 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
- 1p-YE-11 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究III : Ag4d準位の表面積構造依存性
- 5a-H-1 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究II : Si(001)c(6x2)-Ag表面
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 22aW-2 In/Cu(001)表面電荷密度波の光電子分光・トンネル分光
- 14aXG-11 一価金属吸着 Si(111) 表面上 √×√ 超構造のフェルミ円と表面電気伝導の研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 27pW-12 In/Cu(100)における整合・不整合相転移の角度分析光電子分光による研究
- 24aPS-18 Si(111)-√×√-Ag表面の電子状態
- 26aPS-50 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導
- 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 1p-YE-10 SURFACE BAND STRUCTURE OF THE Si-RICH 3C-SiC(001)3×2 SURFACE
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移
- 23aYH-10 Si(111)7×7表面上Na吸着に伴う金属-絶縁体転移とその電気伝導変化(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-13 Si(111) 表面上 Ag 吸着層のフェルミ面マッピング
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHC-6 レーザーポンプ-放射光プローブによる軟X線時間分解角度分解光電子分光装置の開発(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pTC-9 Bi_Sb_x(111)表面における準粒子干渉の走査トンネル分光測定(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pPSB-35 水素吸着によるSrTiO_3(001)表面金属化の研究(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-15 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-5 Co吸着Bi_Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pEJ-10 SASE型自由電子レーザーを用いた磁気光学効果測定システムの開発(26pEJ 光誘起相転移(酸化物・強相関・超伝導),領域5(光物性))
- 26pPSA-14 Si(111)√×√-Inの表面電子構造とキャリアダイナミクス(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7aSM-12 正方4端子法による表面電気伝導度測定(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 7aSM-8 Si(111)√3×√3-Agにおける表面状態対称性の破れ(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 7aSM-13 マイクロ4端子法を用いた単原子層電荷密度波の電子輸送特性(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 24aYF-9 4探針STMによる表面電気伝導測定(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 8aSM-4 Si(111)-√3×√3-Sn,Pb表面欠陥に関する研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 25aYF-6 フェルミ面マッピング法によるSi(111)5x2-Au表面の電子構造研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 6pPSB-15 Si(111)-/21x/21-(Ag+Cs)表面の電子構造(表面界面結晶成長,領域9)