8aSM-13 Si(111)-(7×7)表面上に吸着した準安定酸素の構造決定(表面界面構造・電子物性,領域9)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-08-13
著者
-
坂本 一之
東北大院理
-
平野 真澄
東北大院理
-
Uhrberg R.i.g.
Linkoping University
-
Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
-
松井 文彦
奈良先端大
-
Yeom H.W.
Yonsei大学
-
Zhang H.M.
Linkoping大学
関連論文
- 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aPS-20 遷移金属ジカルコゲナイドの円偏光二次元光電子回折パターン(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-5 SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-7 Cu(111)表面の2次元光電子分光(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-4 光電子回折リングにおける円二色性の解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-7 遷移金属ジカルコゲナイドにおける円偏光二次元光電回折の解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aYG-4 Si(111)-√×√-Ga表面における円二色性光電子回折リングの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-3 SiC(0001)表面上のグラフェンエッジの円偏光光電子回折(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pYE-2 SiC(0001)表面上のグラフェンエッジの価電子帯回折分光(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pPSB-61 円偏光光電子回折によるSiC(0001)表面の原子構造解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光
- 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
- 23pXA-4 回折分光のサイト選択性と深さ分解能(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYH-5 二次元XAFS/XMCD法によるNi薄膜の原子分解電子磁気構造解析(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-23 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-39 立体原子顕微鏡測定による磁性ナノ薄膜 Fe/Cu(001) の構造の定量的評価(領域 9)
- 20aPS-65 Cu(001) 上の Fe 薄膜の立体原子顕微鏡測定による構造解析とその磁気特性
- 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pPSB-16 Si(111) 表面上に成長した Ag の表面プラズモン
- 20pXA-4 Si(111)-(7×7)表面上の物理吸着酸素分子の吸着・反応過程(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-7 Eu吸着により誘起されたSi(111)表面上の一次元鎖構造の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWP-1 Si(111)表面上のCa一次元鎖構造の電子状態(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 29aZF-6 室温における Si(111)-(7×7) 表面の初期酸化過程 : 準安定吸着酸素の研究
- 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
- 29pPSA-6 HREELSによるK/Si(111)-(3×1)表面の振動状態の研究
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 24pPSA-32 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程III
- 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II
- 24aPS-17 Si(111)7×7表面上に吸着したC_の空分子軌道の研究
- 22aW-6 NEXAFSによるC_吸着Si(001)-(2×1)表面の電子状態の研究
- 26aPS-57 Si(111)7x7表面に吸着したC_の吸着状態
- 25pW-14 In/Si(111)表面の振動状態
- 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
- 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
- 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_の電子状態:温度依存性
- カーボン60吸着シリコン表面の電子状態
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
- 29a-PS-29 Si(001)及び(111)表面上ベンゼンの吸着構造と電子構造
- 29a-PS-2 Pb/Si(001)表面の電子構造研究
- 22pT-13 Si2p角度分解光電子分光によるSiO2/Si(100)界面構造に関する研究
- 22aW-11 光電子分光によるIn吸着Si(111)表面の低次元金属性の研究
- 5p-H-12 C_を用いたSiC薄膜の成長機構
- 5p-H-11 Si(111)7×7表面に吸着したC_とSiダングリングボンドの相互作用
- 28p-S-13 放射光光電子分光によるSi(001)表面上Ag超薄膜内の量子化状態研究
- Si(111)-√×√-Ag表面準位の二次元角度分解光電子分光
- 24pPSA-34 Si(001)5x3.2-Au表面の電子構造
- 24aPS-35 Si(111)7×7表面上の炭化水素分子の吸着 : 光電子分光法による研究
- 28a-Q-5 Hydrogen-induced 3x1 phase on the Si-rich 3C-SiC(001)surface
- 28a-YR-3 Surface band structure of anomalous carbon dimers on the 3C-SiC(001)c(2x2) surface
- 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
- 1p-YE-11 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究III : Ag4d準位の表面積構造依存性
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 5a-H-1 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究II : Si(001)c(6x2)-Ag表面
- 31p-F-4 Si(001)2×1表面上のC_2H_2, C_2H_4の吸着 : -NEXAFSと光電子分光を用いた研究
- 31a-K-7 Si(111)7×7表面上の長寿命分子状酸素
- 28aYQ-12 Si(100)上Biナノワイヤの表面構造と電子状態
- 28aYQ-6 Si(100)-Pbの表面構造と電子状態
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 29a-PS-16 Si(001)2×l表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究I : Si(001)2×3-Ag表面
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 24aPS-14 Si(111)-√×√、3×3-Pb相転移のSTMによる研究
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 22aW-2 In/Cu(001)表面電荷密度波の光電子分光・トンネル分光
- 3p-J-10 HREELSとSTMの複合測定によるCu-O/Ag(110)系の研究
- 27a-PS-24 Si表面に吸着したC_の振動状態:吸着量及び温度依存性
- カーボン 60 とシリコン表面の相互作用
- 29a-PS-13 Si表面に吸着したC_からのSiC薄膜の形成
- Si表面に吸着したC_の振動状態 : 吸着量及び温度依存性
- 26p-YM-8 NEXAFSによるSi(111)の初期酸化過程でのO_2precursorの研究
- 30p-Q-1 8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察
- 28a-YR-6 C_吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光
- 28a-YR-5 C_吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性
- 2a-YE-10 C_吸着Si表面の電子状態
- 1p-YE-10 SURFACE BAND STRUCTURE OF THE Si-RICH 3C-SiC(001)3×2 SURFACE
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移
- 金属と半導体表面の酸素吸着と酸化初期過程
- 8aSM-13 Si(111)-(7×7)表面上に吸着した準安定酸素の構造決定(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 7aSM-10 Ag/Si(111)-(6×1)表面の相転移; : 低温におけるc(12×2)相の観測(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6aSN-2 Electronic nature of one-dimentional noble metal nanowires on the Si(5 5 12) surface
- 8aSM-10 Spontaneous incorporation of nitrogen onto the Si(001)
- 6pPSB-17 エネルギー損失分光法を用いた銀吸着Si(111)表面の研究(表面界面結晶成長,領域9)
- 8aSM-9 Adsorption of C2H2 and C2H4 on Si(001) : core-level photoemission
- 6pPSB-28 C70/Siヘテロ接合の界面の電子状態(表面界面結晶成長,領域9)
- 26pJA-8 スピン偏極バレーを有する特異なラシュバ効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-8 Snを吸着したInSb(111)-(2×2)表面の電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-7 高分解能Si2p内殻光電子分光によるCa/Si(111)-("n"×1)表面の研究(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-10 Ag吸着Si(111)表面の振動状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))