沖野 泰之 | 東大理
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概要
関連著者
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沖野 泰之
東大理
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長谷川 修司
東大理
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松田 巌
東大理
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山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科:npo法人science Station
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山崎 詩郎
東大理
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守川 春雲
延世大学
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森川 春雲
東大理
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守川 春雲
東大理
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保原 麗
東大理
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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平原 徹
東大理
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谷川 雄洋
東大理
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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松田 巌
東大物性研
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中山 泰生
千葉大先進
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中山 泰生
千葉大学先進科学センター
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永村 直佳
東大理
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芝崎 剛豪
東大理
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山崎 詩郎
東大物性研
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Kim Y.K.
Inha大
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Lee G.
Inha大
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金川 泰三
東大理
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劉 燦華
東大理
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金川 泰三
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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市川 昌和
Crest-jst:東大工
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永村 直佳
東大院工:東大放射光機構
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尾嶋 正治
東大工
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吉本 真也
東大物性研
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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岡林 潤
東大工
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小野 寛太
KEK
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岡林 潤
東大院工
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小野 寛太
総研大・高エ研
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市川 昌和
CREST-JST
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松田 厳
東大物性研
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松田 巌
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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大江 英輝
東大理
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守川 春雲
Yonsei大物理
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保原 麗
東大物性研
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Lee G.S.
Inha大
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中山 泰生
CREST-JST
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吉本 真也
東大理
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松田 巌
ISSP
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Choi W.
Yousei Univ.
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Yeom H.
Yousei Univ.
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中山 泰生
JSI-CREST
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市川 昌和
JSI-CREST
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沖野 泰之
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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守川 春雲
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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細村 嘉一
東大理
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Zhian He
Arizona State Univ.
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Bennett Peter
Arizona State Univ.
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上野 将司
東大理
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劉 燦華
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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豊田 智史
東大工
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豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
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Choi W.h.
Yousei Univ.
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Yeom H.w.
Yousei Univ.
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長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
著作論文
- Au/Si(111)表面超構造のガラス・結晶化転移での電気伝導の研究
- 22pXF-12 Pb吸着Ge(111)表面の相転移とその電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-6 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-14 低温における金蒸着シリコン表面の電気伝導度の比較(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-10 金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-21 Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-5 全Au/Si(111)表面超構造シリーズの電気伝導とその違い(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-4 Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYB-11 極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャルと電気伝導特性(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-11 Au吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-8 室温から極低温までのAu/Si(111)表面の表面電子輸送研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pXC-3 CoSi_2ナノワイヤの電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-9 Au/Si(111) 表面上のグラスークリスタル転移の表面電子輸送研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 27aWP-6 Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 27aWP-5 マイクロ4端子法によるSi(111)√×√-Ag表面電気伝導の温度依存性の研究(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 27aWP-4 In/Si(111)-4x1 ↔ 8x'2'表面相転移に対する不純物の影響(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
- 31pZE-4 マイクロ 4 端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究
- 28pPSB-28 微傾斜した Si(111)-Au 表面の STM 観察
- 7aSM-13 マイクロ4端子法を用いた単原子層電荷密度波の電子輸送特性(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 8aSM-4 Si(111)-√3×√3-Sn,Pb表面欠陥に関する研究(表面界面構造・電子物性,領域9)