吉本 真也 | 東大理
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概要
関連著者
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長谷川 修司
東大理
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吉本 真也
東大物性研
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吉本 真也
東大理
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保原 麗
東大理
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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松田 巌
東大理
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平原 徹
東大理
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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生野 孝
阪大工
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本多 信一
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U
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Honda Shin-ichi
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
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片山 光浩
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U
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Katayama Mitsuhiro
Osaka Univ. Osaka Jpn
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尾浦 憲治郎
阪大工
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片山 光浩
阪大工
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本多 信一
阪大工
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松田 巌
東大物性研
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中山 泰生
千葉大先進
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中山 泰生
千葉大学先進科学センター
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市川 昌和
CREST-JST
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Wongwiriyapan Winadda
阪大工
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沖野 泰之
東大理
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山崎 詩郎
東大理
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山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科:npo法人science Station
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中山 泰生
CREST-JST
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劉 燦華
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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劉 燦華
東大理
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北岡 佑介
東大理
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村田 祐也
阪大工
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岸田 優
阪大工
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前田 大輔
阪大工
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保田 達郎
阪大工
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山内 規裕
阪大工
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山内 規裕
大阪大学大学院工学研究科電子工学専政
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市川 昌和
Crest-jst:東大工
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Katayama Mitsuhiro
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U
著作論文
- 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aXB-6 PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√×√-Ag表面の電気伝導測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-131 表面状態のホール抵抗測定(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-10 低温型四探針 STM による電気伝導測定(表面界面電子物性, 領域 9)
- 30pYB-6 金原子吸着Si(111)-√×√-Ag表面の電気伝導度(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定