上野 将司 | 東大理
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概要
関連著者
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上野 将司
東大理
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長谷川 修司
東大理
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松田 巌
東大理
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劉 燦華
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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平原 徹
東大理
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保原 麗
東大理
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松田 巌
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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上野 将司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
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原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
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木下 豊彦
東京大学物性研究所軌道放射物性研究施設筑波分室
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木下 豊彦
NEDO
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木下 豊彦
東京大学物性研究所
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奥田 太一
東京大学物性研究所
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平原 徹
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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沖野 泰之
東大理
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守川 春雲
延世大学
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守川 春雲
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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森川 春雲
東大理
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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劉 燦華
東大理
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須川 淳
東大理
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター(jasri)
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平原 徹
東京大学大学院理学系研究科
著作論文
- 27aWP-5 マイクロ4端子法によるSi(111)√×√-Ag表面電気伝導の温度依存性の研究(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 結晶表面上単原子ステップの電気抵抗
- 21aYD-7 STM/STS 測定による Si(111)√3x√3-Ag 表面ステップの研究
- 表面上の2次元吸着原子ガス相と内殻光電子分光
- 29aZF-8 Si(111)√x√-Ag 表面の作成法によるモルフォロジーの違い