坂本 裕介 | 東大理
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概要
関連著者
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長谷川 修司
東大理
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平原 徹
東大理
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坂本 裕介
東大理
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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木村 真一
分子研
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宮崎 秀俊
分子研UVSOR
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木村 真一
神戸大学大学院自然科学研究科
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山田 学
東大理
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木村 真一
分子研UVSOR
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最首 祐樹
東大理
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山田 学
東京大学
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山田 学
東海大理
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山田 学
東理大理
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Kimura Shin-ichi
Uvsor Facility Institute For Molecular Science
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松田 巌
東大物性研
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村上 修一
東工大理
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奥田 太一
東大物性研
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木村 真一
分子研uvsor:総研大物理
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村上 修一
東工大理工
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奥田 太一
広大放射光セ
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松波 雅冶
神戸大院自然
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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Krasovskii E.
スペイン DIPC
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Chulkov E.
スペイン DIPC
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村上 修一
東京工業大学大学院理工学研究科:東京工業大学大学院科学技術振興機構-さきがけ
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松田 巌
東大物性研究所
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松波 雅治
分子研uvosr:総研大物理
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Bihlmayer Gustav
ドイツユーリッヒ研
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Bluegel Stefan
ドイツユーリッヒ研
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宮崎 秀俊
名工大工
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相谷 昌紀
東大理
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奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
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松波 雅治
分子研
著作論文
- 20pGQ-3 シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の電子構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-2 BiSb合金超薄膜表面状態の光電子分光スペクトルの偏光依存性(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aTH-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-4 三次元トポロジカル絶縁体上への二次元量子スピンホール相単一バイレイヤーBiの成長(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-2 Pbドープによるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3超薄膜の電子状態制御と電気伝導度(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))