宮本 早苗 | 京大院理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
八田 振一郎
京大院理
-
奥山 弘
京大院理
-
有賀 哲也
京大院理
-
宮本 早苗
京大院理
-
有賀 哲也
京大院理:jst-crest
-
八田 振一郎
京大院理:jst-crest
-
大坪 嘉之
京大院理
-
大坪 嘉之
京大院理:jst-crest
-
有賀 哲也
京都大学大学院理学研究科
-
田尻 寛男
JASRI
-
坂田 修身
JASRI
-
田尻 寛男
高輝度光科学研究センター
-
坂田 修身
Jst-crest:高輝度光科学研
-
坂田 修身
高輝度光科学研究センター
-
坂田 修身
Spring-8 Jasri
-
坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター
-
坂田 修身
(財)高輝度光科学研究センター(jasri/spring-8)
-
坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
-
坂田 修身
高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門
-
松田 巌
東大物性研
-
原沢 あゆみ
東大物性研
-
奥田 太一
東大物性研
-
原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
-
大友 亮介
京大院理
-
奥山 弘
京都大学大学院理学研究科
著作論文
- 20pGL-7 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-5 Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTE-12 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-99 Tl/Ge(111)-(3×1)構造とステップ誘起局所構造のSTM観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)