結晶表面におけるパイエルス転移
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
結晶内部は変化しないのにその表面の数原子層だけが相転移する現象が知られている.これら「表面相転移」は,低次元系における相転移のモデルとしても興味深い.最近,表面の擬2次元電子系と格子系の結合により引き起こされる表面パイエルス転移について,電子系と格子系のそれぞれの振舞いが実験により詳細にとらえられるようになってきた.パイエルス転移については,バルク擬低次元系物質の研究に基づいて,電子-フォノン結合の強さに基づいた,弱結合型と強結合型(あるいは,変位型と秩序-無秩序型)という分類法が受け入れられてきた.新しい観測結果は,この分類に収まらないタイプの転移の存在を示している.従来のギャップサイズによる分類に加えて,コヒーレンス長がもう一つの指標として相転移を特徴づけることを示す.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-03-05
著者
-
有賀 哲也
京大院理:jst-crest
-
有賀 哲也
京都大学大学院理学研究科化学専攻
-
八田 振一郎
京大院理:jst-crest
-
八田 振一郎
京都大学大学院理学研究科化学専攻
-
八田 振一郎
京都大学大学院理学研究科
-
有賀 哲也
京都大学大学院理学研究科
関連論文
- 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-9 Pb/Ge(111)-β(√×√)R30°の表面構造と電子状態(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-5 Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGL-7 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-12 高分解能XPSおよび超音速分子線法による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-48 超音速分子線によるRu(0001)表面上の酸素吸着の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-5 Tl/Ge(111)-(1×1)表面の構造と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30aYE-12 Cu(001)-5×1-Ga擬一次元原子鎖の構造と表面電子状態(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 表面系の Rashba 効果
- 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-5 角度分解光電子分光法によるSb/Ge(111)-(2×1)表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
- 29pPSB-53 金属吸着Ge(111)表面の電子状態(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-5 Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Tl吸着Ge(111)表面のラシュバ効果
- 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Cu(110)表面における水単分子の移動と反応
- 結晶表面におけるパイエルス転移
- 24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
- パラジウムによる水素吸収と水素化反応
- Pd表面における水素の吸収・放出過程
- 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aWB-8 Pd(911)表面と水素分子の相互作用(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-40 Mn/Pd(100) 表面で形成される 2 種の c(2×2) 構造(領域 9)
- 31aZE-5 Ti/Pd(100) 表面上の水素誘起構造相転移に関わる電子状態変化
- 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-67 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTE-12 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-94 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-44 Br/Ge(111)表面のShockley状態とスピン軌道相互作用(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-99 Tl/Ge(111)-(3×1)構造とステップ誘起局所構造のSTM観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-5 Cu(110)表面における水単分子の移動と反応(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-2 Cu(110)に吸着したアセチレン単分子の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pTX-5 TlおよびBi吸着Ge(111)表面における巨大ラシュバ効果(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察
- 21pXF-4 Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-13 Si(111)-(7×7)表面におけるH_20の吸着・反応(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aXF-10 Si(111)-(7×7)表面での H_2O の吸着状態(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 20aPS-47 結晶性氷表面の振動分光 II
- 27pXJ-2 SPELEEM装置を用いたIn(Sn)/Cu(001)表面における相転移の実空間観察(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-26 Ga/Cu(001)-p(5×1)表面の構造及びc(10×2)への相転移(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-30 Si(111)-(7×7)表面におけるアセトアルデヒドとフェノールの吸着状態(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aYE-13 In/Cu(001)表面におけるCDW相の臨界挙動と相転移(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 20aPS-22 表面 X 線回折による In/Cu(001)-c(4×4) 表面の構造解析と電荷密度波相転移
- 25pTG-9 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造II(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-8 Ge(111)の表面吸着種に誘起されたGe由来のスピン偏極した表面電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-10 Br終端Ge(111)基板のsubsurface領域に局在するスピン偏極電子状態(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTH-3 Cu(110)におけるNOの吸着構造と電子状態(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJB-3 Cu(110)に吸着したNOの電子状態の制御(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 結晶表面における電荷密度波相転移 (特集 X線回折/散乱による表面界面の解析)
- NOの不対電子はCu表面上で生き残るか?
- 結晶表面における電荷密度波相転移
- 24pCK-8 金属吸着Ge(111)表面の電気伝導測定(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCK-7 単原子層Pb吸着Ge(111)の電子状態とそのスピン構造(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCK-6 Tl/Ge(111)-(1×1)表面における過剰Tlによる金属的スピン分裂バンドの形成(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-35 金属吸着Ge(111)表面の電気伝導測定II(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18pFE-11 Cu(110)に吸着したNOの価電子状態と分子間相互作用(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-3 TI吸着Ge(111)表面の電気伝導度測定(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-32 Pb/Ge/Si(111)(1×1)表面の構造と電子状態(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 26pPSA-13 Au/Si(001)-c(8×2)表面の構造と電子状態(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-15 Pb/Ge(111)-(√×√)-β表面における伝導度の温度依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-9 ラシュバ分裂した表面電子系におけるスピン偏極電流の検証(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pJA-9 金属単原子層の電気伝導度に対する吸着原子の効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJA-2 水素結合によるNO/Cu(110)の価電子状態と反応のSTM制御(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 Cu(110)に吸着したH_2SのSTM観測(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-4 TlBiSe_2(111)の表面構造(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-14 PbまたはBi吸着Ge/Si(111)表面の電子構造(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))