24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pPSA-9 Pb/Ge(111)-β(√×√)R30°の表面構造と電子状態(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pGQ-5 Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pGL-7 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
24aPS-31 二原子層構造を有する表面合金の構造・成長・物性 : Pd(100)-p(2×2)-p4g-Al
-
27aY-4 AI/Pd(100)における表面合金の形成メカニズム
-
28p-YM-12 Pd(100)-p(2x2)-p4g-Al表面合金の構造と形成過程
-
18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pPSB-12 高分解能XPSおよび超音速分子線法による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
30aPS-48 超音速分子線によるRu(0001)表面上の酸素吸着の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25pWB-5 Tl/Ge(111)-(1×1)表面の構造と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
30aYE-12 Cu(001)-5×1-Ga擬一次元原子鎖の構造と表面電子状態(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
-
表面系の Rashba 効果
-
27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26pPSB-5 角度分解光電子分光法によるSb/Ge(111)-(2×1)表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
-
29pPSB-53 金属吸着Ge(111)表面の電子状態(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aTE-5 Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
Tl吸着Ge(111)表面のラシュバ効果
-
22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
Cu(110)表面における水単分子の移動と反応
-
結晶表面におけるパイエルス転移
-
24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
パラジウムによる水素吸収と水素化反応
-
Pd表面における水素の吸収・放出過程
-
23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
27aWB-8 Pd(911)表面と水素分子の相互作用(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
15aPS-40 Mn/Pd(100) 表面で形成される 2 種の c(2×2) 構造(領域 9)
-
31aZE-5 Ti/Pd(100) 表面上の水素誘起構造相転移に関わる電子状態変化
-
17aWD-9 Ti/Pd(100)表面合金の構造相転移
-
22aW-2 In/Cu(001)表面電荷密度波の光電子分光・トンネル分光
-
24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aPS-67 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25pTE-12 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
22pPSA-94 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
19aTF-1 温度制御光電子分光によるIn/Cu(001)におけるInの拡散・合金化の研究
-
19aRH-2 Cu(001)-c(4x4)-Inの電荷密度波相転移
-
25aWD-6 In/Cu(001)の成長とその温度依存性のSTM、ARUPSによる研究
-
27pW-12 In/Cu(100)における整合・不整合相転移の角度分析光電子分光による研究
-
27aY-3 In/Cu(100)の多様な構造とそのSTM観察
-
28p-YM-11 In/Cu(100)の構造と整合・不整合転移
-
26a-YM-7 原子状水素の表面反応ダイナミクス
-
6a-H-7 Pd(100)表面における水素吸収のダイナミクス
-
25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aPS-44 Br/Ge(111)表面のShockley状態とスピン軌道相互作用(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
29p-J-4 Si(100)(2×1)-H面へのK吸着の機構
-
22pPSA-99 Tl/Ge(111)-(3×1)構造とステップ誘起局所構造のSTM観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
29p-J-2 Si(111)(√×√)R30^゜-B表面の反応性
-
21aXJ-5 Cu(110)表面における水単分子の移動と反応(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
19aTG-2 Cu(110)に吸着したアセチレン単分子の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
24aPS-23 Pd/Rh(111)表面へのCOの吸着
-
Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察
-
21pXF-4 Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aWB-13 Si(111)-(7×7)表面におけるH_20の吸着・反応(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
13aXF-10 Si(111)-(7×7)表面での H_2O の吸着状態(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
-
20aPS-47 結晶性氷表面の振動分光 II
-
27pXJ-2 SPELEEM装置を用いたIn(Sn)/Cu(001)表面における相転移の実空間観察(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20aPS-26 Ga/Cu(001)-p(5×1)表面の構造及びc(10×2)への相転移(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
30aPS-30 Si(111)-(7×7)表面におけるアセトアルデヒドとフェノールの吸着状態(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30aYE-13 In/Cu(001)表面におけるCDW相の臨界挙動と相転移(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
-
20aPS-22 表面 X 線回折による In/Cu(001)-c(4×4) 表面の構造解析と電荷密度波相転移
-
Pd(100)における水素吸収の機構
-
31a-S-1 Si(100)の表面フォノンの測定
-
8p-B-7 Diamond(100)表面におけるKの吸着
-
Si(100)表面におけるN_2Oの吸着と反応
-
1p-YF-6 Rh(111)表面への水素の吸着 : HREELS,TDSによる研究
-
Ni(111)表面における水素の吸着状態について
-
29p-J-3 Pd(110)表面への酸素吸着
-
25pTG-9 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造II(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27pPSA-8 Ge(111)の表面吸着種に誘起されたGe由来のスピン偏極した表面電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aTH-10 Br終端Ge(111)基板のsubsurface領域に局在するスピン偏極電子状態(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pTH-3 Cu(110)におけるNOの吸着構造と電子状態(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aJB-3 Cu(110)に吸着したNOの電子状態の制御(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
結晶表面における電荷密度波相転移 (特集 X線回折/散乱による表面界面の解析)
-
NOの不対電子はCu表面上で生き残るか?
-
結晶表面における電荷密度波相転移
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク