興地 斐男 | 和歌山高専
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概要
関連著者
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興地 斐男
和歌山高専
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笠井 秀明
阪大工
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中西 寛
阪大工
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中西 寛
阪大院工
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笠井 秀明
阪大院工
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Dino Wilson
阪大工
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Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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興地 斐男
阪大工
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三浦 良雄
東北大・通研
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菅 誠一郎
阪大工:兵県大工
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三浦 良雄
阪大工
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菅 誠一郎
阪大工
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三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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坂上 護
阪大
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長谷川 和彦
阪大工
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長谷川 和彦
(株)ルネサステクノロジ
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福井 篤
大阪大学大学院工学研究科応用物理学
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坂上 護
阪大工
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福井 篤
阪大工
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Dino W
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:デ・ラ・サール大学理
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信原 邦啓
トヨタ自動車
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DINO Wilson
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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川上 則雄
京大基研
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Dino Wilson
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:dlsu理
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三浦 良雄
阪大院工
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小森 文夫
東大物性研
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宗像 利明
理研
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信原 邦啓
阪大工
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Dino Wilson
阪大院工
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熊田 聖也
阪大工
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坂上 護
理研
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信原 邦啓
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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富山 麻子
阪大工
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Dino W.A.
阪大工
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岡野 達雄
東大生研
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宗像 利明
阪大院理
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松中 大介
阪大工
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Dino W.
阪大工
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森田 幸弘
阪大工
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松中 大介
阪大院工
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川阪 泰平
阪大工
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大木 健嗣
阪大工
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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森垣 裕治
阪大工
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Dino W.
阪大院工
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岸 智弥
阪大院工
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白井 太郎
阪大院工
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信原 邦啓
阪大院工
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興地 斐男
阪大 工
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中村 厚信
阪大工
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中村 厚信
阿南高専
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西村 直樹
阪大工
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井本 邦博
阪大工
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辻本 圭史
阪大院工
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Dino W.A.
阪大院工
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的場 賢一
阪大工
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福谷 克之
東大生研
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白井 正文
東北大通研
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長谷川 幸雄
東大物性研
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山下 眞
Ntt物性基礎研:jst-crest
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野々山 信二
山形大地教
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村田 好正
東大生研
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青柳 克信
理研
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福谷 克之
東大生産研
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笠井 俊夫
阪大院理
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村田 好正
電通大物理
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笠井 俊夫
大阪大学大学院理学研究科化学専攻反応物理化学研究室
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岡野 達雄
東大生産研
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岸 智弥
阪大工
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Dino Wilson.A.
阪大工
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DINO A.Wilson
Department of Applied Physics,Osaka University
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川人 洋介
阪大工
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Kasai H.
阪大工
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菅野 卓雄
理研
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Muhida R.
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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Muhida Rifki
阪大院工
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MUHIDA Rifki
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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三浦 良雄
東北大通研
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野々山 信二
理研フロンティア
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及川 博志
阪大院工
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島田 雄貴
阪大院工
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福谷 克之
阪大工
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岡野 達雄
阪大工
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笠井 秀明
東大生研
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菅 誠一郎
阪大 工
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菅誠 一郎
阪大工
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バセク カレル
阪大工
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カレル バセク
阪大工
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管 誠一郎
阪大工
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山下 眞
阪大工
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岸 智弥
大阪大学大学院工学研究科
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Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
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岡村 克己
阪大工
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福井 篤
阪大院工
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Shirai Masafumi
Department Of Material Physics Osaka University
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都築 克典
阪大工
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岡野 達男
東大生研
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坂上 譲
阪大工
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酒井 隆將
阪大工
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Dino W
阪大工
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中西 寛
阪大 工
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笠井 秀明
阪大 工
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都築 克典
阪大 工
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DINO W.A
阪大工
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W Dino
阪大工
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長谷川 和彦
阪大院工
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的場 賢一
阪大院工
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三浦 良雄
阪大薩工
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笠井 秀明
阪大薩工
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Dino W.
阪大薩工
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中西 寛
阪大薩工
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笠井 俊夫
阪大院環
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Agerico Ding
阪大院工
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Diiio W.A.
阪大院工
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Diiio W.A.
阪大院工:東大生研
著作論文
- 31pWH-12 d-p 模型における不純物効果の CPA と FLEX を用いた解析
- 20aRH-10 銅酸化物の電子状態における置換不純物の効果
- 29pPSA-14 銅酸化物の電子状態における不純物の効果
- 19aTF-6 走査トンネル顕微鏡による原子・分子の操作の理論
- 30aTA-3 STMにより誘起される吸着子のダイナミクス : 非平衡グリーン関数を用いたアプローチ
- 25pTA-6 STMにより誘起されるCu(100)上のアセチレンの解離ダイナミクスII
- 25aT-5 STMにより誘起されるCu(100)上のアセチレンの解離ダイナミクス
- 24aW-7 STMにより誘起されるCu(100)上のアセチレンの回転ダイナミクス
- 31a-Q-12 STMにより誘起される吸着子のダイナミクス
- 26p-YM-2 STMによるCu(111)からのCOの脱離(II)
- 2p-YD-8 STMによるCu(111)からのCOの脱離
- 24pPSA-26 超薄膜の金属・絶縁体転移
- 24aPS-63 磁性体ナノワイヤーの構造と電気伝導
- 30p-Q-6 磁性体ナノワイヤーの電気伝導
- 31aZF-6 Cu ポイントコンタクトの伝導性
- 31aZE-1 金属表面からの二光子光電子放出におけるエネルギー緩和・位相緩和の微視的機構
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- 20aWD-12 両端にキャップ構造を持つカーボンナノチューブにおける局在状態間の電気伝導
- 20aWD-9 STM探針操作による鉄原子架橋の構造と磁性制御
- 20aRH-11 金属表面局在電子状態における光誘起超高速電子ダイナミクスの微視的理論
- 19pPSB-60 表面ナノ構造における : 次元相関電子系の振舞
- 合金表面での水素分子の解離吸着・散乱ダイナミクス
- 18aTF-2 はぎとり反応におけるHot-Atomの量子ダイナミクス : 表面被覆率依存性
- 18aTF-1 Pd(111)表面下への水素原子の吸収過程 : 格子歪み効果
- 28a-PS-149 強相関軌道縮退アンダーソンモデルの有限温度における素励起スペクトルII
- 6a-PS-3 強相関軌道縮退アンダーソンモデルの有限温度における素励起スペクトルII
- 28a-PS-3 強相関軌道縮退アンダーソンモデルの有限温度における素励起
- 1次元可積分t-Jモデルの熱力学的性質
- CuGeO_3の磁気的性質
- 3p-E-1 量子細線内に於ける複合フェルミオンのサブバンド内素励起
- 1次元ハバードモデルの有限温度における素励起
- 28a-PS-54 不純物スピンを含むBabujian-Takhtajanモデルの有限磁場における素励起スペクトル
- 5a-J-6 磁場中量子細線のサブバンド間励起
- 5a-J-6 磁場中量子細線のサブバンド間励起
- 29p-PSA-4 閉じ込められた1/r^2模型:厳密な固有関数とスペクトル
- 29p-YF-13 電子相関によるコンダクタンス振動の2つの周期
- 30p-PSA-47 一次元S=1/2反強磁性Heisenberg Modelの有限温度における素励起
- 30p-YP-4 マルチチャネル近藤モデルの磁場中での素励起スペクトル
- 12a-S-7 マルチチャネル近藤モデルの有限温度における素励起スペクトル
- 1a-N-8 量子井戸電子系の集団励起
- 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
- 26p-R-3 金属表面近傍での分子ビームの回転状態と振動状態
- 28a-ZK-3 s-dモデルの有限温度における素励起スペクトル
- 量子細線における遮蔽効果
- 26a-YM-10 解離吸着・会合脱離過程での水素分子の回転励起 : Cu表面とPd表面との相違
- 1p-YF-9 会合脱離過程での分子の回転状態励起に現れる回転軸整列
- 24pPSA-45 Molecular Orientation Dependence of o-p H_2 Conversion
- 5a-B-11 STM探針と金属表面間の点状接触領域におけるコンダクタンスの量子化 : 電子相関効果II
- 30aTA-6 金属表面における水素原子の吸着状態 : 局在・非局在性
- 25pTA-5 金属表面近傍における水素原子の振る舞い : 吸着と吸収
- 25aW-12 金属表面上においてホットアトムが関与する素過程のダイナミクス
- 29pPSA-3 強磁性金属表面上に形成されるショックレー状態の寿命に関する理論的研究
- 25pWD-7 金属表面上に形成されるショックレー状態の寿命に関する理論的研究
- 25aW-3 ステップ構造が存在するCu(111)上におけるショックレー状態の寿命
- 24aW-4 水素分子の解離散乱過程に現れる量子干渉効果
- 31p-Q-2 金属表面での分子の解離散乱に現れる電子相関効果III
- 26a-YM-9 金属表面での分子の解離散乱に現れる電子相関効果II
- 6a-H-11 金属表面における二原子分子の解離過程II
- 30aTA-4 金属表面における水素のはぎとり反応 : Eley-Rideal機構とHot-Atom機構
- 25pTA-7 水素分子の金属表面への解離吸着 : 低エネルギー領域での分子回転依存性の異常
- 31p-Q-10 STM/STSによるCo/Au(111), Fe/Cu(111)表面の電子状態の解析 : 温度及び電圧依存性
- 合金表面での水素分子の散乱ダイナミクス
- 25aW-11 合金表面での水素分子の解離吸着タイナミクスIII
- 24aPS-45 金属表面での磁性原子の振る舞い : 近藤効果の実空間像
- 24aW-3 合金表面での水素分子の解離吸着ダイナミクスII
- 31p-S-10 合金表面での水素分子の解離吸着ダイナミクス
- 29a-PS-48 遍歴吸着子系での相関効果
- 29pPSA-12 シリコン表面におけるSTM発光の理論
- 23pW-9 STM発光のモデル計算
- 30aYQ-5 金属の鏡像力表面状態における超高速電子ダイナミクス
- 23pW-12 超伝導体表面吸着子系におけるSTM像
- 25pWD-13 原子吸着金属表面の時間分解二光子光電子スペクトルに対する吸着原子運動の効果
- 22pW-6 金属表面の時間分解二光子光電子スペクトルに対する非共鳴電子遷移の効果
- 31a-Q-2 鏡像力表面状態を介した時間分解二光子光電子放出過程で生じる量子ビート
- 31a-Q-1 金属表面からの時間分解二光子光電子放出に対する電子間クーロン相互作用の効果
- 28a-YR-8 時間分解光電子分光法で測定される電子寿命の理論II
- 2p-YF-2 時間分解光電子分光法で測定される電子寿命の理論
- 8p-H-8 金属表面電子系の過渡応答の理論III
- 31p-Q-9 金属表面上の磁性不純物のSTM像 : 磁場依存性
- 7a-PS-2 Si(001)表面でのSi原子の運動
- 25aW-10 遷移金属表面における水素の吸収反応とはぎとり反応のダイナミクスIII
- 25aW-9 銅表面での水素の散乱 : 分子の回折と回転励起
- 24aW-5 金属表面における水素の反応ダイナミクス : コルゲーション効果
- 31a-Q-13 銀表面での水素の吸着と脱離 : コルゲーション効果
- 26a-YM-11 銅表面での水素の解離吸着・会合脱離 : 振動・回転結合効果
- 1p-YF-8 窒素分子の会合脱離 : 振動・回転分布
- 2p-YD-7 Cu(111)表面上の吸着Fe原子の電子状態とSTM像
- 24aW-6 遷移金属表面における水素の吸収とはぎとり反応のダイナミクス II
- 31p-Q-1 遷移金属表面における水素の吸収反応とはぎとり反応のダイナミクス
- 29pPSA-18 表面に形成された閉じ込め相関電子系
- 25pWD-14 1次元量子井戸中に閉じ込められた相関電子系 : 基底状態
- 6a-H-12 解離吸着過程及び会合脱離過程での分子の回転状態励起に現れる同位体効果
- 9aSN-11 シリコン表面での水素はぎとり反応の理論解析(表面・界面ダイナミクス,領域9)
- 7aSP-6 FeNiおよびFeV合金原子架橋の伝導性と磁性(表面ナノ構造量子物性,領域9)
- 6aSM-6 金属表面の二光子光電子スペクトルに対する正孔崩壊の効果(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 9aSN-12 水素吸収反応における表面緩和の効果(表面・界面ダイナミクス,領域9)
- 9aSN-13 金属表面での水素分子の散乱過程における動的量子フィルター効果(表面・界面ダイナミクス,領域9)
- 27pWD-8 走査トンネル顕微鏡による単分子操作の理論(27pWD 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aYF-13 FeNi合金原子架橋の磁性(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-42 吸着子を経由するSTM探針・表面間の非弾性トンネル電流(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-57 磁性原子からなる表面ナノ構造の磁性(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aWD-1 金属表面下への水素吸収ダイナミクス : 格子歪み効果(27aWD 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aWD-5 水素はぎとり反応における表面フォノンの効果(27aWD 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aYF-2 STM発光による表面ナノ構造解析の理論(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 26pPSB-10 多重量子井戸系のベーテ仮説法(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 6aSP-10 走査トンネル顕微鏡による単分子操作の理論II(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 24aYF-4 STMで観る金属表面上での近藤効果(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))