大村 泰久 | 関西大学 大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 大村 泰久

  関西大学 大学院工学研究科

• 大村 泰久

  関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 山本 泰己

  関西大学 大学院工学研究科

• 大村 泰久

  関西大学ordist・工学部

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 飯田 幸雄

  関西大学 工学部

• 飯田 幸雄

  関西大学ordist・工学部

• 大村 泰久

  関西大学システム理工学部

• 佐藤 伸吾

  関西大学 大学院工学研究科

• 富田 哲

  関西大学システム理工学部

• 富田 哲

  関西大学 工学部

• 東 栄治

  関西大学 工学部

• 山村 毅

  関西大学 大学院工学研究科

• 吉岡 由雅

  関西大学 大学院

• 大村 泰久

  関西大学 大学院工学研究科:関西大学・先端科学技術推進機構

• 野原 彰展

  関西大学システム理工学部

• 野原 彰展

  関西大学 工学部

• 島田 博司

  関西大学 工学部

• 亀田 圭司

  関西大学 工学部

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著作論文

• Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• BS-1-13 フラクタル型広帯域アンテナに関する検討(BS-1.最新の広帯域・マルチバンドアンテナ技術,シンポジウム)
• B-1-141 小型アンテナの放射効率測定に関する検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• LDD構造のサブ0.1μmチャネルnMOSFET/SIMOXにおけるホット・キャリアによる異常なgm劣化についての考察

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