エリアバンプ形成素子のパッケージング工程で生じるデバイス劣化

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概要

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エリアバンプを形成したLSIチップを実装基板に接続する時に生じる応力がデバイス特性に与える影響について検討を行った。その結果、実装基板への接続時の圧着力が強くなるのに伴ってデバイス劣化は増大することを明かとした。この劣化要因は、圧着力の弱い時は主に界面準位発生であり、圧着力が強くなるのに伴って電子捕獲が支配的になる。また、この劣化は300℃の熱処理により削滅するが、時間の経過と伴に封止樹脂材の応力等が原因と見られるデバイス劣化が再び生じる。従って、エリアバンプを用いた実装を行う場合には、封止樹脂材料と封止樹脂形成工程後のベーク温度条件を考慮することが重要となる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-11-20

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