嶋屋 正一 | NTT通信エネルギー研究所
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概要
関連著者
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嶋屋 正一
NTT通信エネルギー研究所
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町田 克之
NTTアドバンステクノロジ
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下山 展弘
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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久良木 億
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西坂 美香
Ntt通信エネルギー研究所
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大友 祐輔
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小泉 弘
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嶋屋 正一
NTT システムエレクトロニクス研究所
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下山 展弘
Ntt生活環境研究所
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秋谷 秀夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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塩野 登
シンポジウム実行委員会
著作論文
- C-12-25 リファレンス電圧を用いない単相小振幅CMOS入力バッファ回路の評価
- スタッドバンプ形成時の衝撃応力がデバイス劣化領域に及ぼす影響
- エリアバンプ形成素子のパッケージング工程で生じるデバイス劣化
- MOSFET直上へのスタッドバンプによるデバイス劣化とアニールによる劣化挙動
- MOSFETホットキャリア耐性の熱処理条件依存性および加速試験法