半導体関連信頼性研究の動向 : 第35回国際信頼性物理シンポジウム参加報告
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
1997年4月米国コロラド州デンバー市で開催された第35回国際信頼性物理シンポジウム (1997 IRPS/35th International Reliability Physics Symposium) で発表された論文の概要を紹介し、最近の半導体関連の信頼性研究の動向を知る一助とする。本シンポジウムは総合的な半導体LSI技術の信頼性に関する最新の研究成果を取り扱っており、本報告が信頼性のみならず半導体プロセス技術・設計技術に携わる研究者にとっても有益なものとなることを期待する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-20
著者
関連論文
- C-12-25 リファレンス電圧を用いない単相小振幅CMOS入力バッファ回路の評価
- C-12-21 リファレンス電圧を用いない単相小振幅CMOS入力バッファ回路
- C-11-3 2V 1Gbps動作CMOS OEIC用pin-PD/SIMOX
- エリアバンプ形成素子のパッケージング工程で生じるデバイス劣化
- MOSFET直上へのスタッドバンプによるデバイス劣化とアニールによる劣化挙動
- 半導体関連信頼性研究の動向 : 第35回国際信頼性物理シンポジウム参加報告