WSix配線技術 : ECR窒素プラズマにより形成したWSixN拡散バリア層の利用
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概要
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WSix電極での不純物拡散バリアに, WSixN層の利用を検討した. WSixN層は, WSix表面へのECR窒素プラズマの照射により形成する. この簡便な手法により形成したWSixN層は, 厚さ5〜6nmの薄いアモルファス層であり, 1100℃, 10秒のRTA時でも不純物のWSix電極中への拡散の抑制が可能である. このWSixN層を利用することにより, RTA後もWSix/Si界面で不純物の高濃度層が実現できる. この結果WSixコンタクト電極で低コンタクト抵抗が得られる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-26
著者
-
町田 克之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
本間 芳和
日本電信電話株式会社境界領域研究所
-
枚田 明彦
Nttlsi研究所
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本間 芳和
Ntt 境界領域研
-
本間 芳和
NTT境界領域研究所
-
細矢 徹夫
NTT LSI研究所
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秋谷 秀夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
細矢 徹夫
NTTLSI研究所
-
町田 克之
NTTLSI研究所
-
秋谷 秀夫
NTTLSI研究所
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