28p-WB-7 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造III-STM観察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-03-16

著者

• 小川 恵一

  横浜市大総合理

• 本間 芳和

  東理大理

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社境界領域研究所

• 本間 芳和

  Ntt 境界領域研

• 本間 芳和

  NTT境界領域研究所

• 小川 恵一

  横浜市大学総合理

• 重田 論吉

  横浜市大総合理

• 星野 政陽

  横浜市大総合理

• 重田 論吉

  横浜市大 総合理

• 星野 政陽

  横浜市大

• 米山 一也

  横浜市大総合理

• 重田 論吉

  横浜市大学大学院総合理

関連論文

• 27a-PS-19 Pb-Doped Bi_2Sr_2CaCu_2O_劈開表面のSTM観察II
• 23aTA-4 カーボンナノチューブの蛍光スペクトルにおける欠陥効果(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• ナノ構造技術
• 昇温脱離した高強度鋼中水素の二次イオン質量分析法によるトラップサイトの同定
• 冷間伸線型および熱処理型 PC 鋼材の遅れ破壊過程における水素吸蔵特性の比較
• 19pYF-5 架橋構造を用いた単一単層カーボンナノチューブの近赤外発光分光(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 31p-S-4 Si(111)表面のGe固相エピタキシャル成長に対するsurfactantの効果
• 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
• 26a-Y-1 Si(100)2×1表面における二次電子放出強度のダイマー方向依存性
• Si表面のステップ配列設計とその応用
• 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
• 26a-YR-4 Si(111)√×√-NiのSTM観察 : 双晶と原子模型
• 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
• 29a-PS-26 焼鈍によるSi(111)-√×√-B表面の構造変化
• 19pPSB-59 Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成と構造安定性
• 3a-J-6 真空中加熱によるSi(111)基板の凹部内部における(111)平坦面の成長
• 23aPS-33 NdBa_2Cu_3O_y表面の走査型トンネル顕微鏡観察
• 31a-PS-11 Pb-Doped Bi_2Sr_2CaCu_2O_ へき開表面のSTM観察
• 29a-PS-58 NdBa_2Cu_3Oy表面のSTM観察
• 31a-J-1 Bi系高温超伝導体2212劈開面のSTM観察
• 2p-PSA-39 Bi系高温超伝導体2212の格子欠陥のSTM観察
• WSix配線技術 : ECR窒素プラズマにより形成したWSixN拡散バリア層の利用
• 15a-DJ-11 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造II-STM観察
• 1a-H-13 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造 : STM観察
• XPSによる純水中でのGaAs表面の酸化の評価
• 薄膜・表面物理分科会
• 24pYB-8 架橋単層カーボンナノチューブの発光に対する金属蒸着効果の解析(24pYB ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28p-WC-3 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成
• 29pPSA-23 DC、AC通電加熱によるSi(111)面上のAu原子および微粒子のelectromigration
• 24pPSA-9 Si(111)表面上Au粒子のsurface electromigration : STM観察
• 24aPS-57 Fe/Si(111)面上に拡散させたFe原子の挙動-STM観察
• 23aPS-63 Nd_Sr_MnO_3c軸配向薄膜における粒界の磁気抵抗効果
• 30p-S-6 Si(111)上のAg/Au系表面拡散のSTM観察
• 26a-YR-5 Si(111)5×2-Au表面構造のSTM観察
• 25a-YF-13 Nd_Sr_MnO_3薄膜の磁気的、電気的性質
• 31a-N-11 Mn系酸化物積層膜の巨大磁気抵抗効果
• 31a-T-2 Si(111)7×7構造の形成過程-STM観察
• 31a-M-13 Bi2212酸化物超伝導体粉末の磁気的性質II
• 29p-Q-9 レーザーアブレーション法で作製したLa_Sr_xMnO_z薄膜の電気的性質IV
• レーザーアブレーション法で作製したLa_Sr_xMnO_z薄膜の電気的性質III
• BI2212酸化物超伝導体粉末の磁気的性質
• 31p-PSB-16 Si(111)-(7x7) 表面欠陥構造のSTMによる研究
• 28p-WB-7 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造III-STM観察
• 19pPSB-56 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態II
• 25pWB-8 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII
• 表面状態の解析-25-走査型電子顕微鏡によるシリコン表面の原子ステップ構造観察
• 表面原子層のその場観察 (〔特集〕ナノエレクトロニクス材料の高度分析技術)
• レーザーアブレーション法で作製したLa_Sr_xMnO_3薄膜の電気的性質
• 3p-Q-8 Arイオン照射を行ったMoS2日劈開面のSTM観察
• 30p-H-8 MoS_2へき開面上の3原子構造 : STMによる観察
• YBa2(Cu1-2zNizZnz)_3O7-δの超伝導特性
• 14a-W-1 Bi系変調構造の座屈理論による解析
• 25pWB-9 Si(111)7×7-1×1相転移温度以上の表面構造変化(II)
• 26pCL-4 HF-CVD反応におけるAl粒子の構造評価(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aXP-14 水蒸気雰囲気下での単層カーボンナノチューブのRBMに関する分子動力学計算(26aXP ナノチューブ(光物性・分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pKA-5 アルミナ微粒子に対するHF-CVD反応の温度効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pYF-12 si(111)上におけるAuワイヤーからのAu-particle のsurface electromigration(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 31a-YH-5 Bi2212酸化物超伝導体粉末の磁気的性質(31aYH 低温(高温超伝導・混合状態(ピーク効果等)),低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク