本間 芳和 | 日本電信電話株式会社境界領域研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 日本電信電話株式会社境界領域研究所の論文著者

関連著者

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社境界領域研究所

• 本間 芳和

  Ntt 境界領域研

• 本間 芳和

  NTT境界領域研究所

• 高井 健一

  Ntt 技術協力センタ

• 町田 克之

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 井筒 香

  早稲田大学:(現)ntt技術開発支援センタ

• 南雲 道彦

  早稲田大学理工学部

• 小川 恵一

  横浜市大総合理

• 本間 芳和

  東理大理

• 高井 健一

  日本電信電話株式会社 技術協力センタ

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 枚田 明彦

  Nttlsi研究所

• 高井 健一

  NTT技術協力センタ

• 南雲 道彦

  九州大学:(独)産業技術総合研究所

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所

• 関 純一

  NTT技術協力センタ

• 南雲 道彦

  早稲田大学

• 廣田 幸弘

  NTT基礎研究所

• 小川 恵一

  横浜市大学総合理

• 細矢 徹夫

  NTT LSI研究所

• 重田 論吉

  横浜市大総合理

• 南雲 道彦

  早大理工

• 秋谷 秀夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 細矢 徹夫

  NTTLSI研究所

• 町田 克之

  NTTLSI研究所

• 秋谷 秀夫

  NTTLSI研究所

• 青木 延枝

  Ntt境界領域研究所

• 星野 政陽

  横浜市大総合理

• 重田 論吉

  横浜市大 総合理

• 星野 政陽

  横浜市大

• 米山 一也

  横浜市大総合理

• 重田 論吉

  横浜市大学大学院総合理

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著作論文

• 昇温脱離した高強度鋼中水素の二次イオン質量分析法によるトラップサイトの同定
• 冷間伸線型および熱処理型 PC 鋼材の遅れ破壊過程における水素吸蔵特性の比較
• WSix配線技術 : ECR窒素プラズマにより形成したWSixN拡散バリア層の利用
• XPSによる純水中でのGaAs表面の酸化の評価
• 28p-WB-7 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造III-STM観察
• 表面状態の解析-25-走査型電子顕微鏡によるシリコン表面の原子ステップ構造観察
• 表面原子層のその場観察 (〔特集〕ナノエレクトロニクス材料の高度分析技術)

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