昇温脱離した高強度鋼中水素の二次イオン質量分析法によるトラップサイトの同定
スポンサーリンク
概要
著者
-
高井 健一
Ntt 技術協力センタ
-
井筒 香
早稲田大学:(現)ntt技術開発支援センタ
-
南雲 道彦
早稲田大学理工学部
-
高井 健一
日本電信電話株式会社 技術協力センタ
-
本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
本間 芳和
日本電信電話株式会社境界領域研究所
-
南雲 道彦
九州大学:(独)産業技術総合研究所
-
本間 芳和
Ntt 境界領域研
-
本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
-
南雲 道彦
早稲田大学
-
南雲 道彦
早大理工
関連論文
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- マルテンサイト鋼の疲労における点欠陥の生成
- ナノ構造技術
- フッ化物微粒子を分散させたはっ水性塗料
- はっ水性塗料の濡れ性
- 着氷が電波反射に及ぼす影響のはっ水材料による軽減効果
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- マルテンサイト鋼の焼戻しに伴う遅れ破壊特性と水素吸蔵特性
- 疲労を受けた高強度鋼の遅れ破壊特性
- 冷間伸線型および熱処理型高強度鋼の遅れ破壊特性に及ぼす水素の挙動 (特集論文 マルチメディア通信設備のメンテナンスを支える材料技術)
- 高強度鋼の遅れ破壊における変動応力の効果
- 昇温脱離した高強度鋼中水素の二次イオン質量分析法によるトラップサイトの同定
- 粒界フェライト析出による高強度鋼の遅れ破壊強度の改善
- 冷間伸線型および熱処理型 PC 鋼材の遅れ破壊過程における水素吸蔵特性の比較
- 高強度鋼の遅れ破壊特性に及ぼす Si, Ca の複合添加の影響
- 冷間伸線加工した純鉄および共析鋼の昇温脱離法による水素吸蔵特性評価
- はっ水性表面の機能性低下に関する検討
- はっ水性塗膜上への着雪量の検討
- 326 はっ水性表面への雪氷の付着挙動
- 共析パーライト鋼の遅れ破壊特性に及ぼす伸線加工率の影響
- はっ水性表面への氷の付着に関する熱力学面からの一考察
- 耐遅れ破壊特性に優れた Si 及び Si, Ca 複合添加高強度鋼の水素吸蔵特性
- 破壊現象としての水素脆性 : 水素脆性機構
- 相変態に伴う水素脆性 : 水素脆性評価法
- 水素脆性研究の新しい方向(水素エネルギーシステムに使用される材料の強度問題)
- 水素脆性機構II
- 水素脆性機構I
- 水素が関与する破壊の特徴
- 液相から金属への水素侵入 II : 水素侵入に影響する因子
- 液相から金属への水素侵入I : 基本電気化学反応
- 気相水素の金属表面への吸着
- 材料中水素の状態解析法
- 材料中の水素の存在状態 III : 水素のトラップ状態(2)
- 材料中の水素の存在状態II : 水素のトラップ状態(1)
- 材料中の水素の存在状態 I : 水素の固溶状態
- 鋼の力学的挙動に及ぼす水素の影響(力学特性)
- SUS304熱延板の加工誘起変態マルテンサイトの新しいエッチング法
- 水素脆化した低炭素鋼に見られる変形組織
- SUS304曲げ円管加工における加工誘起変態相の可視化
- SUS304熱延板の加工誘起変態相の可視化
- マルテンサイト鋼の細粒化に伴う水素吸蔵と水素脆化特性
- 塑性変形誘起欠陥の水素マイクロプリント法による観察
- すべり拘束度の異なる鋼の水素による延性き裂伝播抵抗
- 高強度鋼の水素昇温放出曲線のシュミレーション
- 高強度鋼の水素脆性における粒界割れの機構
- 水素添加ポテンシャルの変動による高強度鋼の遅れ破壊促進
- Ca 添加鋼の靱性向上機構
- 水素マイクロプリント法による破面上の局所変形の可視化-2(溶接熱影響部と焼戻しマルテンサイトへの適用)
- 鋼中の水素の存在状態と格子欠陥
- Tiとへプタンあるいはグラファイトとの反応ミリング・焼結によるTiCおよびTi/TiC複合体の合成
- メカニカルアロイングで作製したTiC/Ti_5Si_3/Ti_3SiC_2微細複合体の組織と高温引張特性
- はっ水性表面への湿雪の付着に関する一検討
- はっ水性表面に対する氷の付着力と表面粗さに関する一検討
- はっ水性塗料の着雪性
- ガラス上に形成したPTFE皮膜上の水滴のESEMによる観察
- 231 はっ水性塗料
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- LSI技術におけるカーボンナノチューブ配線 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 材料・応用編 カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 半導体表面の原子構造デザイン
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- 3a-J-6 真空中加熱によるSi(111)基板の凹部内部における(111)平坦面の成長
- 半導体
- 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
- 単層カーボンナノチューブの発光
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
- 薄膜・表面
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 半導体
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- SIMSによるSi,GaAs中の不純物分析
- 極浅領域の深さ方向分析多層BNデルタドープ標準物質とそれによるスパッタ速度変化の評価
- Si基板上の単層カーボンナノチューブのSEM観察
- イオン照射による化合物半導体表面の変質現象