SIMSによるSi,GaAs中の不純物分析

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概要

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• Impurity analysis in Si and GaAs with Secondary Ion Mass Spectromotry (SIMS) has been studied using ion implanted substrates as standard samples. Oxygen ion beams were used as a primary beam for B+, As+, P+, Cr+ and Be+ detection, and Cesium ion beams for O-, Si- and S- detection. By means of high resolution mass analysis (M/ΔM ≒7000), 4 decades in-depth profiles of P in Si could be obtained. Detection limits were determined from in-depth profiles and discussed with regard to base pressure in the analytical chamber, contamination of immersion lens and relative sensitivities.

• 日本質量分析学会の論文

著者

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 尾嶋 正治

  日本電信電話(株)境界領域研究所

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所

• 本間 芳和

  日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

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