二次イオン質量分析法による定量分析と標準化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2003-04-10
著者
関連論文
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- ナノ構造技術
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- 昇温脱離した高強度鋼中水素の二次イオン質量分析法によるトラップサイトの同定
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- LSI技術におけるカーボンナノチューブ配線 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 材料・応用編 カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 半導体表面の原子構造デザイン
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- 3a-J-6 真空中加熱によるSi(111)基板の凹部内部における(111)平坦面の成長
- 半導体
- 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
- 単層カーボンナノチューブの発光
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
- 薄膜・表面
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 半導体
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- SIMSによるSi,GaAs中の不純物分析
- 極浅領域の深さ方向分析多層BNデルタドープ標準物質とそれによるスパッタ速度変化の評価
- Si基板上の単層カーボンナノチューブのSEM観察
- イオン照射による化合物半導体表面の変質現象
- 二次イオン質量分析法による定量分析と標準化
- 二次イオン質量分析法の標準化