19pPSB-59 Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成と構造安定性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-09-03

著者

• 鈴木 雅彦

  大阪電通大

• 重田 論吉

  横浜市大総合理

• 鈴木 雅彦

  横浜市大総合理

• 重田 論吉

  横浜市大学大学院総合理

関連論文

• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 29a-PS-26 焼鈍によるSi(111)-√×√-B表面の構造変化
• シリコンおよびゲルマニュームナノアイランドの微細構造と局所電子状態
• 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
• 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
• 31pZF-4 Si(111) 基板上に自己形成した Si ナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定
• 19pPSB-59 Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成と構造安定性
• 29pPSA-42 Si(111)面上のGeナノクラスターのマジック数と安定性
• 28p-WB-7 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造III-STM観察
• 19pPSB-56 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態II
• 25pWB-8 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII
• 25pWB-9 Si(111)7×7-1×1相転移温度以上の表面構造変化(II)
• 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pPSA-64 W(110)基板上におけるCo/Niマルチレイヤーにおける磁気異方性の理論的研究(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 26pPSA-27 W(110)上におけるCo/Ni多重層の構造と磁気特性の関係に関する理論的研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aPS-8 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-35 Ca/Ni多重層の積層過程における磁気特性の変化に関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pWD-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 28pPSA-54 CdNi多重層の磁気特性の構造依存性に関する理論的研究(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク