窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
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概要
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異極ゲートCMOSプロセスで問題となるp^+ゲートからのボロンの突き防け防止に対して、ボロンドープポリSiとゲート酸化膜との間にLPCVD法で薄い窒素ドープ層を形成したp^+ゲート構造(MBNゲート)をトランジスタ試作に適用し、ボロンの突き抜け抑制効果とトランジスタ特性への影響を明らかにした。またMBNゲート電極構造と、堆積時にin-situで不純物添加したポリSiをnMOS、pMOSそれぞれのゲート電極に用いて異極ゲートCMOSを形成する新しいプロセスを検討し、3.5nmの薄いゲート酸化膜を持つサブ1, 4μmレウェルのCMOSデバイス試作に適用して、有効性の確認を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-24
著者
-
三宅 雅保
NTT LSI研究所
-
猪川 洋
NTT LSI研究所
-
中山 諭
NTT LSI研究所
-
岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
-
小林 敏夫
Ntt Lsi研究所
-
松田 維人
NTT LSI研究所
-
小林 敏夫
Ntt Lsi研
-
三宅 雅安
NTT LSI 研究所
-
森本 孝
NTT LSI 研究所
-
中山 諭
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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