-0.2μmバルクCMOSプロセスによる-新しい超高速スタティックCMOS分周器の試作
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概要
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先に提案した新しいCMOSスタティック分周器回路を、0.2μmバルクCMOSプロセスにより試作した。その結果、スタティックCMOS分周器として最高速度4.3GHzを達成、回路の有効性を実証出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
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