堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
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概要
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次の実用素子分離技術として期待されているポリバッファLOCOS (PBL)技術には、分離端の形状が凸凹になる、時として基板にマイクロトレンチが形成される等の問題点がある。我々は、この欠点を工程数を増やす事無く解決するNPBL (Nitrogen in-situ doped PBL)開発した。本技術は、極めて安定な技術であるとともに、パタン変換差、分離特性の面でも従来PBL技術と比較して勝れている。さらに、6 nmという極めて薄いパッド酸化膜の使用が可能となるため、将来のスケールダウンにも対応できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
三宅 雅保
NTT LSI研究所
-
猪川 洋
NTT LSI研究所
-
中山 諭
NTT LSI研究所
-
岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
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小林 敏夫
Ntt Lsi研究所
-
小林 敏夫
Ntt Lsi研
-
三宅 雅安
NTT LSI 研究所
-
中山 諭
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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