猪川 洋 | NTT LSI研究所
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概要
関連著者
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猪川 洋
NTT LSI研究所
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岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
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小林 敏夫
Ntt Lsi研究所
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小林 敏夫
Ntt Lsi研
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三宅 雅保
NTT LSI研究所
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三宅 雅安
NTT LSI 研究所
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中山 諭
NTT LSI研究所
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中山 諭
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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酒井 徹志
NTT LSI研究所
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土屋 敏章
NTT LSI研究所
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井野 正行
Nttエレクトロニクステクノロジー
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門 勇一
NTT LSI研究所
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西村 和好
NTT LSI研究所
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井野 正行
NTT LSI研究所
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門 勇一
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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山本 庸介
NTT LSI研究所
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西村 和好
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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粟屋 信義
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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西村 和好
Ntt Lsi研
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榊原 裕
通信・放送機構兵庫リサーチセンタ
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竹谷 健
Ntt Lsi研究所
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道関 隆国
NTT通信エネルギー研究所
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田辺 泰之
NTT通信エネルギー研究所
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榊原 裕
Ntt Lsi研究所
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山田 宏
Ntt Lsi研究所
-
河合 羲夫
NTT LSI研究所
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佐藤 政明
NTT LSI研究所
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中嶋 定夫
NTT LSI研究所
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北村 守
NTT LSI研究所
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伊達 滋
NTT LSI研究所
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道関 隆国
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
道関 隆国
Ntt Lsi 研究所
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原田 充
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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松田 維人
NTT LSI研究所
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重松 智志
NTT LSI研究所
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大野 晃計
NTT LSI研究所
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粟屋 信義
NTT LSI研究所
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有田 陸信
NTT LSI研究所
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山本 栄一
NTT LSI研究所
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石井 仁
NTT LSI研究所
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森本 孝
NTT LSI 研究所
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大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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武谷 健
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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原田 充
NTT LSI研究所
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田辺 泰之
NTT LSI研究所
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武谷 健
NTT LSI研究所
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大野 晃計
Ntt Lsi研
著作論文
- 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
- クォーターミクロンCMOSに適用した銅配線プロセス評価及びその電気特性への影響
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術
- -0.2μmバルクCMOSプロセスによる-新しい超高速スタティックCMOS分周器の試作
- 浅溝分離0.2μmCMOSと超低電力分周器への応用
- 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
- 0.5V動作MTCMOS/SIMOX回路
- シリコンLSIにおける銅配線技術
- 1/4μm完全空乏型CMOS/SIMOX・LSIとバルク・LSIの比較 : 論理ゲート遅延及び寄生容量の電源電圧依存性
- ダブルゲートMOSFETにおける移動度・相互コンダクタンス増大現象の解析