酒井 徹志 | NTT LSI研究所
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概要
関連著者
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酒井 徹志
NTT LSI研究所
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猪川 洋
NTT LSI研究所
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井野 正行
Nttエレクトロニクステクノロジー
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門 勇一
NTT LSI研究所
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土屋 敏章
NTT LSI研究所
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中山 諭
NTT LSI研究所
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西村 和好
NTT LSI研究所
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井野 正行
NTT LSI研究所
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門 勇一
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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西村 和好
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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中山 諭
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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西村 和好
Ntt Lsi研
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榊原 裕
通信・放送機構兵庫リサーチセンタ
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竹谷 健
Ntt Lsi研究所
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小中 信典
Ntt生活環境研究所
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小舘 淳一
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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小舘 淳一
Ntt Lsi研究所
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宇賀神 守
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
宇賀神 守
NTT LSI研究所
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小林 由治
NTT LSI研究所
-
小中 信典
NTT LSI研究所
-
榊原 裕
Ntt Lsi研究所
-
山田 宏
Ntt Lsi研究所
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河合 羲夫
NTT LSI研究所
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佐藤 政明
NTT LSI研究所
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中嶋 定夫
NTT LSI研究所
-
北村 守
NTT LSI研究所
-
伊達 滋
NTT LSI研究所
-
岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
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大野 晃計
NTT LSI研究所
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大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
武谷 健
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
武谷 健
NTT LSI研究所
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大野 晃計
Ntt Lsi研
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宇賀神 守
Ntt
著作論文
- 50-GHzf_T,70-GHzf_シリコンバイポーラ技術 : USST
- 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
- 1/4μm完全空乏型CMOS/SIMOX・LSIとバルク・LSIの比較 : 論理ゲート遅延及び寄生容量の電源電圧依存性
- ダブルゲートMOSFETにおける移動度・相互コンダクタンス増大現象の解析
- 多結晶Si中の窒素の拡散およびpoly-Si/SiO_2界面での窒素の偏析
- SIMOX技術の動向 (イオン注入による素子分離技術--SIMOX技術)
- 高速バイポ-ラ (新世代LSIと新しいニ-ズ)