TEOS/O_3常圧CVD法によるシリコン酸化膜の成膜過程
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概要
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TEOS-O_3常圧CVD法によるシリコン酸化膜成膜の成膜過程について、気相中での反応中間体の生成過程と基板表面での酸化膜形成過程を仮定する2段階のシリコン酸化膜の成膜モデルを提案し、高温領域での堆積速度とTEOS供給量の関係の説明を試みる。また、本法の特徴である堆積時フロー形状形成条件下で、段差基板上に堆積したシリコン酸化膜特性を評価し、段差底部にH_2Si(OH)_2、H_3Si(OH)を放出する反応中間体が存在することを見いだした。基板表面の幾何学的形状も、堆積時フロー形成の必要条件の一つとして重要であることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
-
中山 諭
NTT LSI研究所
-
前田 正彦
Nttlsi研究所
-
中山 諭
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
IKEDA Koichi
NTT LSI Laboratories
-
池田 浩一
NTT LSI研究所
-
前田 正彦
NTT LSI研究所
-
池田 浩一
Ntt Lsi Laboratories
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