空間周波数2倍化法 (FREDIS) を用いた KrF 露光によるサブ 0.15μm パタン形成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光リソグラフィにおいて光学系のカットオフ周波数まで解像度を向上させる新しい空間周波数2倍化法(FREDIS)を提案する。この方法は焦点位置およびパタンの方向に位存することなく微細な周期パタンを形成する方法である。この方法は像面上において焦点位置の異なる光学像を重ね合わせることにより、デフォーカスに依存するl次の光強度分布を消去しマスクパタンの半分のピッチでデフォースに依存しない2次の光強度を抽出することにより解像度を向上させる。この方法の検証としてKrF露光に適用した結果、0.14μmのラインアンドスペースパタンを焦点深度2.0μmをもって形成することができた。また、コントラスト向上法およびパタン端点における像補正の方法についても述べる。
- 1995-10-19
著者
-
大高 明浩
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
大高 明浩
NTT LSI研究所
-
河合 義夫
NTT LSI研究所
-
田中 啓順
NTT LSI研究所
-
松田 維人
NTT LSI研究所
-
河合 義夫
日本電信電話(株)lsi研究所
関連論文
- 空間周波数2倍化法 (FREDIS) を用いた KrF 露光によるサブ 0.15μm パタン形成
- ハーフトーン位相シフトマスクを用いたKrF露光による0.20μmロジックゲートパタン形成
- 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
- Arイオン注入による極薄膜nMOSFETs/SIMOXにおける寄生バイポーラ効果の抑制
- 0.25μmCMOS/SIMOX用KrFリソグラフィ技術 (特集 0.25μmCMOS/SIMOXゲ-トアレイ技術)
- ハーフトーン位相シフトマスクを用いた微細ホールパタン形成
- 1/4・ミクロンゲート極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイのダイナミック性能と消費電流特性
- 半導体用レジストと微細加工
- 微細加工最前線