ハーフトーン位相シフトマスクを用いたKrF露光による0.20μmロジックゲートパタン形成

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概要

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従来提案されている超解像技術は周期的なパタン形成を目的としており、ロジックゲートに用いられる孤立パタンには効果が無かった。そこで、微細な孤立ラインパタンを形成する方法について光学原理に基づいた検討を行った。その結果、マスクを通過するO次光とラインパタンからの回折光の強度および位相をバランスさせる、回折光バランスという新たな概念を導出し、ハーフトーン位相シフトマスクを変形照明で露光する方法が孤立パタン形成に有効であることを明らかとした。本方法の検証としてLSIパタンに適用した結果、NA0.5のKrF露光で0.20μmゲートパタンを焦点深度1.2μmをもって形成することができた。
1997-11-21

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