有田 睦信 | NTT LSI 研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NTT LSI 研究所の論文著者

関連著者

• 有田 睦信

  NTT LSI 研究所

• 大野 一英

  Ntt Lsi研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 粟屋 信義

  NTT LSI研究所

• 石井 仁

  NTT LSI研究所

• 小杉 敏彦

  NTT LSI研究所

• 石井 仁

  日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学

• 粟屋 信義

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 天沢 敬生

  Ntt Lsi研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 政明

  NTT LSI研究所

• 石井 仁

  日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 山本 栄一

  NTT LSI研究所

• Sato K

  Depertment Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology

• Saito K

  Department Of Materials Technology Chiba University

• ARITA Yoshinobu

  NTT LSI Laboratories

• Sato K

  Department Of Electronics And Information Science Teikyo University Of Science And Technology

• SAITO Kunio

  NTT LSI Laboratories

• AMAZAWA Takao

  NTT LSI Laboratories

• Saito K

  Nagaoka National Coll. Technol. Nagaoka Jpn

• Saito K

  Application Laboratory

• Saito K

  Av-it Development Group. Sony Corporation

• Arita Y

  Ntt System Electronics Lab. Kanagawa Jpn

• 斎藤 国夫

  NTT LSI Laboratories

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著作論文

• Cu 配線技術 - 化学気相成長および反応性イオンエッチング技術 -
• 水素パッシベーション法によるW-選択CVD技術と浅接合コンタクト形成への応用
• 水素パッシベーションを用いたp+Si高濃度表面清浄化技術とそのコンタクト形成への応用
• Si-LSIにおけるCu配線
• プラズマ化学気相成長による選択チタンシリサイド膜堆積とシリサイド張り付けシリコン電極形成プロセス〔英文〕
• 0.25μmULSI多層配線のための選択CVD-Alビアプラグ平坦化技術

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