CuCVDプロセスの現状と課題
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概要
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銅CVD技術は優れた段差被覆性, 低温プ□セス, ダメージレスプロセスから銅配線技術における基幹技術として有望とされている. 銅CVD技術における残された課題としては堆積速度の向上, 原料消費効率の向上, 堆積した銅膜の結晶学的性質の制御等が上げられる. 本稿ではこれらのCVD技術の課題を克服するためのプロセス最適化の指針を示す.
- 1997-01-24
著者
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