完全空乏型CMOS/SIMOXインバータ回路における消費電流のダイナミック特性
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概要
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完全空乏型SOI素子技術は低電圧・低消費電力LSIの本命技術の一つとして注目されている。一方、フローティングボディ効果については、特にそのダイナミック特性の観点から現象のメカニズムを解析する必要性が問われている。我々はボディコンタクトが無い状態で完全空乏型素子が部分空乏型素子に比べ安定なダイナミック特性を示す事を報告している。今回、試作した0.25μm級CMOS/SIMOXゲート・アレイ上のインバータ・チェイン回路においてNMOSの寄生バイポーラ効果に起因するオフ状態リーク電流の入力パルス幅依存性を初めて観測したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
門 勇一
NTT LSI研究所
-
土屋 敏章
NTT LSI研究所
-
門 勇一
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
大野 晃計
NTT LSI研究所
-
大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
大野 晃計
Ntt Lsi研
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