水谷 孝 | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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概要
関連著者
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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水谷 孝
NTT LSI研究所
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学
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山本 眞史
Ntt Lsi研究所
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山本 真史
Nttlsi研究所
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和保 孝夫
Ntt Lsi研究所
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中田 俊司
Ntt Lsi研究所
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
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相原 公久
NTT LSI 研究所
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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品川 満
Ntt通信エネルギー研究所
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永妻 忠夫
NTT LSI研究所
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富沢 雅彰
Ntt Lsi研究所
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清水 直文
NTT LSI研究所
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品川 満
NTT LSI研究所
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矢板 信
NTT LSI研究所
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中田 俊司
NTTLSI研究所
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活田 健治
NTTLSI研究所
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水谷 孝
NTTLSI研究所
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富沢 雅彰
NTTLSI研究所
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福山 裕之
NTT LSI研究所
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矢板 信
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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山本 真史
Ntt Lsi研
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岸本 茂
名古屋大学
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相原 公久
Ntt Lsi研究所
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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川野 陽一
名古屋大学大学院工学研究科
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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前澤 宏一
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
著作論文
- カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いた化合物半導体デバイスの電位分布測定
- プラズマCVD SiN膜キャップアニールの2次元電子ガスへの影響
- 共鳴トンネルダイオードのスイッチング時間 : EOサンプリング法による評価と等価回路解析
- AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析
- スタブ型量子細線を用いた電界制御型量子干渉素子の三端子動作
- GaAs/AlAs二重障壁構造の共鳴トンネル確率に及ぼす不純物の効果
- スタブ構造を有する量子細線における干渉現象の電界による制御 (量子固体エレクトロニクス)
- 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用