GaAs/AlAs二重障壁構造の共鳴トンネル確率に及ぼす不純物の効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
二重障壁構造中にドープした不純物が、電子の透過確率に及ぼす効果について調べた。透過確率は、4.2Kにおける共鳴トンネルダイオードのd^2I,dV^2-V特性から求めた。障壁層にSiをドープした試料、井戸層にBeをドープした試料ではピークが1つしか観測されなかったのに対して、井戸層にSiをドープした試料では透過確率に2つのピークが観測された。井戸層にSiをドープした試料で観測された2つのピークは、それぞれイオン化したドナーによって形成された準束縛状態を経て透過している成分と、共鳴準位を透過している成分とに対応しているものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-23
著者
関連論文
- カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いた化合物半導体デバイスの電位分布測定
- プラズマCVD SiN膜キャップアニールの2次元電子ガスへの影響
- 共鳴トンネルダイオードのスイッチング時間 : EOサンプリング法による評価と等価回路解析
- AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析
- スタブ型量子細線を用いた電界制御型量子干渉素子の三端子動作
- GaAs/AlAs二重障壁構造の共鳴トンネル確率に及ぼす不純物の効果
- スタブ構造を有する量子細線における干渉現象の電界による制御 (量子固体エレクトロニクス)
- 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
- In_Ga_As/AlAs共鳴トンネルダイオードのSパラメタ解析
- 超高速共鳴トンネルダイオードの電気光学的測定
- 直列接続の共鳴トンネルデバイスを用いた量子機能回路
- 直列接続共鳴トンネル素子のスイッチング制御に基づく機能可変論理ゲート
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いた論理回路
- 量子効果デバイスの研究
- 特集7 : 研究解説 : スタブ構造を有する量子細線における干渉現象の電界による制御