共鳴トンネルダイオードのスイッチング時間 : EOサンプリング法による評価と等価回路解析
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概要
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AlAs障壁幅1.4nm、GaAs井戸幅5.1nm、エミッタ寸法2x5μm^2の共鳴トンネルダイオードを試作し、このデバイスのスイッチング時間をEOサンプリング法で評価した。試作したダイオードのピーク電流は8.2mA、PV比2.0で、ピークからバレーへのスイッチング時間は5.4ps以下であった。また、ダイオードのI-V特性を表す電流源とコレクタ容量を用いた簡単な等価回路モデルを用い、このダイオードの過渡応答を計算したところ、ピークからバレーへのスイッチング時間を非常によく再現することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-22
著者
-
品川 満
Ntt通信エネルギー研究所
-
永妻 忠夫
NTT LSI研究所
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
-
和保 孝夫
Ntt Lsi研究所
-
水谷 孝
NTT LSI研究所
-
清水 直文
NTT LSI研究所
-
品川 満
NTT LSI研究所
-
矢板 信
NTT LSI研究所
-
矢板 信
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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