矢板 信 | NTT LSI研究所
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概要
関連著者
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矢板 信
NTT LSI研究所
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矢板 信
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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永妻 忠夫
NTT LSI研究所
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永妻 忠夫
NTT通信エネルギー研究所
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佐野 栄一
Ntt Lsi研究所
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品川 満
Ntt通信エネルギー研究所
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米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
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米山 幹夫
Ntt Lsi研究所
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加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
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品川 満
NTT LSI研究所
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村本 好史
Nttフォトニクス研究所
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高橋 亮
Ntt光エレクトロニクス研究所
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松岡 裕
NTT光エレクトロニクス研究所
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板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
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榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
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加藤 和利
NTT 光エレクトロニクス研究所
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尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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加藤 和利
NTT光エレクトロニクス研究所
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幸前 篤郎
NTT光エレクトロニクス研究所
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松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
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松岡 裕
アンリツ株式会社
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村本 好史
NTT光エレクトロニクス研究所
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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和保 孝夫
Ntt Lsi研究所
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山幡 章司
Nttエレクトロニクス株式会社
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水谷 孝
NTT LSI研究所
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清水 直文
NTT LSI研究所
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尾辻 泰一
NTT LSI研究所
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山幡 章司
NTT LSI研究所
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柴田 随遭
NTT LSI研究所
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河村 裕一
NTTエレクトロニクス研究所
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高橋 亮
NTTエレクトロニクス研究所
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加藤 康男
NTTアドバンステクノロジー(株)
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加藤 康男
Nttアドバンステクノロジ
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幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
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佐野 栄一
Jst‐crest
著作論文
- 共鳴トンネルダイオードのスイッチング時間 : EOサンプリング法による評価と等価回路解析
- 10-80 Gb/s光電気融合型パルスパターン発生とその高速電子デバイス評価への応用
- InP/InGaAs DHBTにより構成された17Gbit/sモノリシックpin-PD/識別回路
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQW MSM-PDにより構成された差動型フォトコンダクティブ・アンドゲート
- EOサンプリングの高感度化の検討
- 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード