板屋 義夫 | Ntt光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
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赤掘 裕二
Nttフォトニクス研究所
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山田 泰文
NTT光エレクトロニクス研究所
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山田 泰久
Ntt光エレクトロニクス研究所
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和田 正人
NTT光エレクトロニクス研究所
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赤堀 裕二
NTT光エレクトロニクス研究所
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橋本 俊和
NTT光エレクトロニクス研究所
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河野 健治
Nttフォトニクス研究所
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岡本 浩
NTT光エレクトロニクス研究所
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界 義久
NTTフォトニクス研究所
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河野 健治
NTT光エレクトロニクス研究所
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河野 健治
Ntt 光エレクトロニクス研
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界 義久
NTT光エレクトロニクス研究所
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岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
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東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
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近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
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永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
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山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
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杉江 利彦
NTT 光エレクトロニクス研究所
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杉江 利彦
NTT光ネットワークシステム研究所
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Ntt フォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
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山本 〓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
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幸前 篤郎
NTT光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
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山田 泰文
Nttエレクトロニクス
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神徳 正樹
NTT光エレクトロニクス研究所
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門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
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高橋 浩
NTT光エレクトロニクス研究所
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幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
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村本 好史
Nttフォトニクス研究所
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福田 光男
Ntt光エレクトロニクス研究所
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杉江 利彦
NTT光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
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内田 直人
NTT光エレクトロニクス研究所
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村本 好史
NTT光エレクトロニクス研究所
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柳澤 雅弘
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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門田 好晃
NTT光エレクトロニクス研究所
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小高 勇
NTT光エレクトロニクス研究所
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福田 光男
Ntt 電子応用研
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柳澤 雅弘
NTTエレクトロニクス株式会社
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岡本 稔
Ntt光エレクトロニクス研究所
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板屋 義夫
NTT 光エレクトロニクス研究所
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竹内 博昭
NTTエレクトロニクス(株)
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鳥羽 弘
NTT光エレクトロニクス研究所
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三冨 修
NTT光エレクトロニクス研究所
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柳澤 雅弘
NTT光エレクトロニクス研究所
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加藤 和利
NTT光エレクトロニクス研究所
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竹内 博昭
NTT光エレクトロニクス研究所
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野口 悦男
NTT光エレクトロニクス研究所
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竹内 博昭
Nttエレクトロニクス株式会社
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加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
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近藤 進
NTT光エレクトロニクス研究所
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須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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赤掘 裕二
NTT光エレクトロニクス研究所
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野口 悦男
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社
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大山 貴晴
NTT光エレクトロニクス研究所
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田中 拓也
NTT光エレクトロニクス研究所
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岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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森脇 和幸
NTT光エレ研
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中尾 正史
Ntt 光エレクトロニクス研究所
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東盛 裕一
NTT 光エレクトロニクス研究所
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山本 〓夫
NTT 光エレクトロニクス研究所
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須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
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三富 修
NTT光エレクトロニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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赤津 祐史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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馬渡 宏泰
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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鈴木 安弘
NTT光エレクトロニクス研究所
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柴田 泰夫
NTTネットワークサービスシステム研究所
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
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馬渡 宏泰
NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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馬渡 宏泰
NTT光エレクトロニクス研究所
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高畑 清人
NTT光エレクトロニクス研究所
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恒次 秀起
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
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恒次 秀起
Ntt光エレクトロニクス研究所
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河野 健治
アンリツ株式会社r&dセンター
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河野 健治
アンリツ株式会社デバイス事業推進部
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山本 みつ夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
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佐藤 憲史
Ntt光ネットワークシステム研究所
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都築 健
NTT光エレクトロニクス研究所
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伊賀 龍三
NTT光エレクトロニクス研究所
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佐藤 憲史
NTT光エレクトロニクス研究所
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中島 長明
NTT光エレクトロニクス研究所
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赤津 祐史
NTT光エレクトロニクス研究所
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川口 悦弘
NTT光エレクトロニクス研究所
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柴田 泰夫
Nttフォトニクス研究所
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冨樫 稔
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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姫野 明
NTT光エレクトロニクス研究所
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美野 真司
NTTネットワークサービスシステム研究所
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馬渡 宏泰
Ntt フォトニクス研
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河野 健治
アンリツ株式会社光デバイスR&Dセンター
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佐野 明秀
Ntt光ネットワーク研究所
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吉田 淳一
九州大学臨床・腫瘍外科
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岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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永妻 忠夫
NTT通信エネルギー研究所
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吉田 淳一
Ntt光エレクトロニクス研究所
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岡本 浩
NTT 光エレクトロニクス研究所
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須崎 泰正
NTT 光エレクトロニクス研究所
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岡本 稔
NTT 光エレクトロニクス研究所
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近藤 康洋
NTT 光エレクトロニクス研究所
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門田 好晃
NTT 光エレクトロニクス研究所
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岸 健志
NTT 光エレクトロニクス研究所
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界 義久
NTT 光エレクトロニクス研究所
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中尾 正史
NTT光エレクトロニクス研究所
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井上 靖之
NTT光エレクトロニクス研究所
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近藤 進
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:新潟国際情報大学
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須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武志
NTT光エレクトロニクス研究所
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三冨 修
日本ガイシ(株)
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岡本 勝就
NTT光エレクトロニクス研究所
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尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
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岡安 雅信
Ntt光エレクトロニクス研究所
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日比野 善典
NTT光エレクトロニクス研究所
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永妻 忠夫
NTT LSI研究所
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岡本 勝就
Ntt Corporation
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吉田 淳一
九州大学病院 臨床・腫瘍外科
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吉田 淳一
千歳科学技術大学 光科学部光応用システム学科
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小川 育生
NTT光エレクトロニクス研究所
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柳沢 雅弘
NTT光エレクトロニクス研究所
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米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
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米山 幹夫
Ntt光ネットワーク研究所
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池田 睦夫
NTT光エレクトロニクス研究所
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美野 真司
Ntt光エレクトロニクス研究所
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関根 聡
Ntt光エレクトロニクス研究所
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矢板 信
NTT LSI研究所
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矢板 信
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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山本 [ミツ]夫
NTT光エレクトロニクス研究所
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和田 正人
NTT 光エレクトロニクス研究所
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関 俊司
NTT光エレクト ロニクス研究所
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福田 光男
NTT 光エレクトロニクス研究所
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小熊 学
NTT光エレクトロニクス研究所
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堀口 正治
Nttエレクトロニクス株式会社
-
堀口 正治
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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板屋 義夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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山本 ?夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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堀口 正治
NTT光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
NTT 光エレクトロニクス研究所
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三冨 修
電電公社
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伊東 雅之
NTT光エレクトロニクス研究所
-
関 俊司
NTTフォトニクス研究所
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山本 夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
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松本 信一
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
岡安 雅信
NTT 光エレクトロニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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尾辻 康一
九州工大
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堀口 正治
電電公社茨城電通研
著作論文
- 2インチInP基板上に作製したバットジョイント選択成長スポットサイズ変換レーザの均一性
- Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
- 光加入者系ゼロバイアス駆動LDの閾値電流, スロープ効率に対する要求条件 : 発振遅れ時間, 動作電流を考慮した設計チャート
- InGaAs/InGaAsP二層構造電極層を備えた高抵抗埋め込みレーザ
- 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード
- スポットサイズ変換付き1.3μmLDの結合特性
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
- 高速歪み量子井戸InGaAsP光変調器/DFBレーザ集積化光源
- スポットサイズ変換レーザ
- 1.3μm Butt-Joint型スポットサイズ変換LDの温度特性改善のための検討
- 石英導波路に作製したUV誘起グレーティングとスポットサイズ変換LDを用いたハイブリッド集積レーザ
- 2.通信用光デバイス (化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発)
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-III
- PLCプラットフォームを用いたハイブリッド光集積技術の現状と展望
- PLCプラットフォームを用いたハイブリッド光集積技術の現状と展望
- 1580-1600nm帯広波長帯域WDM用EA変調器集積DFBレーザ
- ハイブリッド集積光モジュ-ル用光半導体技術 (特集論文 光アクセスシステム用部品経済化技術)
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-II
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD
- スポットサイズ変換レーザ
- 光加入者システム用光モジュール
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 各種スポット変換LD(SS-LD)の結合特性の3-D BPMによる比較
- 薄膜コアリッジ形スポット変換LDの3-DBPMによる設計
- PLCプラットフォームとSS-LDゲートを用いた光ゲートモジュールの特性
- スポットサイズ変換レーザ
- ドライエッチングメサとMOVPE法を用いた埋め込みレーザ
- 1.3μm帯 狭出射ビームスーパールミネッセントダイオード
- UV誘起グレーティングとスポットサイズ変換LDを用いたハイブリッド4波長レーザ
- 導波路型pin-PDを用いた2チャネル受信用OEICの10Gbit/s動作
- 導波路型pinフォトダイオードを用いた10Gbit/s 2チャネル受信OEIC
- 超高速モノリシックPIN-HEMT及びモノリシック用レーザ
- PLCプラットフォームを用いた高速光電子混載ハイブリッド集積光送信モジュール : 実装技術
- PLCプラットフォームを用いた高速光電子混載ハイブリッド集積送信モジュール : モジュール特性
- PLCプラットフォームを使用した10Gbit/s級ハイブリッド集積光送信サブモジュール
- SA-9-2 最近の光ファイバ伝送用半導体レーザの通電特性(SA-8. ブロック暗号の攻撃法とその対策,シンポジウム)
- MOVPE成長FeドープInP埋め込みレーザの信頼性
- UV誘起導波路グレーティングとその集積化外部共振器レーザへの応用
- 長波長帯モノリシックpin-FETの雑音特性