岡本 稔 | Ntt光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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岡本 稔
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
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須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
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界 義久
NTTフォトニクス研究所
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三富 修
NTT光エレクトロニクス研究所
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三冨 修
NTT光エレクトロニクス研究所
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山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
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近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
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山本 〓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
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和田 正人
NTT光エレクトロニクス研究所
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界 義久
NTT光エレクトロニクス研究所
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三冨 修
日本ガイシ(株)
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三冨 修
電電公社
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板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
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杉江 利彦
NTT 光エレクトロニクス研究所
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岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
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黒崎 武志
NTT光エレクトロニクス研究所
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笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
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杉江 利彦
NTT光ネットワークシステム研究所
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岡本 浩
NTT光エレクトロニクス研究所
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中尾 正史
Ntt 光エレクトロニクス研究所
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岡本 浩
NTT 光エレクトロニクス研究所
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須崎 泰正
NTT 光エレクトロニクス研究所
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東盛 裕一
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
岡本 稔
NTT 光エレクトロニクス研究所
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界 義久
NTT 光エレクトロニクス研究所
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杉江 利彦
NTT光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
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松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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内田 直人
NTT光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
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笠谷 和生
NTT光エレクトロニクス研究所
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門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
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岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
板屋 義夫
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
中尾 正史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
竹下 達也
NTT光エレクトロニクス研究所
-
曲 克明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
-
黒崎 武志
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
門田 好晃
NTT光エレクトロニクス研究所
-
笠谷 和生
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
三富 修
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
和田 正人
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
関 俊司
NTT光エレクト ロニクス研究所
-
関 俊司
NTTフォトニクス研究所
著作論文
- 2インチInP基板上に作製したバットジョイント選択成長スポットサイズ変換レーザの均一性
- Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
- バットジョイント型光導波路集積素子における内部反射抑制法
- スポットサイズ変換付き送受LD (LEADダイオード)における受光感度の温度特性の改善
- バットジョイント型光導波路集積素子における内部反射抑制法
- バットジョイント構造を有するスポットサイズ変換レーザの発振スペクトル特性の検討
- pn-BH構造を考慮したバットジョイント型スポットサイズ変換LDにおける結合効率の検討
- 偏波無依存ゲート型光スイッチ
- 1.3μm Butt-Joint型スポットサイズ変換LDの温度特性改善のための検討
- 27a-C-6 GaInAs(P)歪超格子におけるバンド構造とPLスペクトル